Сверхпроводящие гетероструктуры для применения в электронике и коммуникационных технологиях

В данном исследование изучается вопрос поведения критической температуры в сверхпроводящих S/F/S (S – сверхпроводник, F-ферромагнетик ) гетероструктурах. Целью работы является расширение и обобщение теоретических основ для расчета критической температуры в S/F/S структурах и предоставление соответсвующих результатов. Проблема формулируется с помощью дифференциальных уравнений Узаделя и определенными граничными условиями. Для решения данной проблемы в исследовании используются ранее разработанные методы одномодовой и мультимодовой аппроксимации. Результаты представлены в форме графических зависимостей критической температуры от толщины ферромагнетика . Анализируя полученные результаты, можно заметить, что зависимость показывает осциллирующее поведение с затуханием в S/F/S системах. В работе приводится сравнение между одномодовым и мультимодовым методами расчета критической температуры. Более того, также приведен анализ критической толщины сверхпроводника S. Данное исследование может быть интересно тем, кто изучает свойства гибридных наноструктур, а также служить дополнительными теоретическими сведениями для изучения более сложных многослойных систем.