• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Краевые состояния на сколах двумерной электронной системы

ФИО студента: Еремин Валентин Антонович

Руководитель: Храпай Вадим Сергеевич

Кампус/факультет: Факультет физики

Программа: Физика (Бакалавриат)

Год защиты: 2022

В данной работе был подготовлен и исследован интерфейс двумерного электронного газа и тонкого слоя сверхпроводника, реализованный с помощью напыления 17 нм алюминия на скол квантовой ямы InAs. Такая конфигурация, при которой поле перпендикулярное плоскости 2DEG оказалось параллельным сверхпроводнику, позволила наблюдать сохранение признаков сверхпроводимости в довольно больших магнитных полях вплоть до 0.6 Тл. Помимо более привычных подщелевых особенностей, также были изучены эффекты неравновесной сверхпроводимости, в том числе гистерезис в скачках в вольт-амперных характеристиках интерфейса. В ходе экспериментов был обнаружен ряд особенностей электронного транспорта через интерфейс, по всей видимости, не наблюдавшихся до сих пор. Эти эффекты открыты к дальнейшему изучению как с помощью электрических измерений, так и тепловых.

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ