Оптимизация конструкции GaN мощного СВЧ транзистора Х диапазона частот на карбид кремниевой подложке
ФИО студента: Храпко Константин Васильевич
Руководитель: Петросянц Константин Орестович
Кампус/факультет: Факультет электроники и телекоммуникаций
Программа: Специалитет
Год защиты: 2013
Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.
Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.
Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.
ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.
В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.