• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Особенности стратегий роста полупроводниковых компаний на зарубежных рынках Азиатско-Тихоокеанского региона на примере Infineon и NXP Semiconductors

ФИО студента: Аксенов Иван Валерьевич

Руководитель: Кратко Ирина Геннадиевна

Кампус/факультет: Школа инноватики и предпринимательства

Программа: Международный бизнес (Магистратура)

Оценка: 8

Год защиты: 2024

Данная работа посвящена изучению особенностей стратегий роста полупроводниковых компаний на зарубежных рынках Азиатско-Тихоокеанского региона. Страны АТР, являясь локомотивами мировой полупроводниковой промышленности, в последние годы испытывают турбулентность в развитии ввиду внутренних и внешних факторов. В этой связи изучение успешных практик лидеров рынка и особенностей их стратегий роста приобретает особенную актуальность для поддержания темпов развития. При этом в литературе до сих пор наблюдается нехватка подобных исследований среди европейских и американских полупроводниковых компаний в регионе и их сравнения между собой. В рамках данной магистерской работы для ответа на ключевой исследовательский вопрос были проведены: теоретический обзор стратегий роста полупроводниковых компаний за рубежом, исследование глобального и регионального рынков полупроводников с фокусом на интегрированных производителей, кейс-стади компаний Infineon и NXP Semiconductors на рынках АТР. Нами были использованы как количественные (финансовый и статистический анализ), так и качественные методы (кейс-стади, литературный анализ, сравнение, синтез). В результате нам удалось достичь поставленных целей и выявить особенности стратегий роста полупроводниковых компаний на рынках стран Азиатско-Тихоокеанского региона на примере Infineon и NXP Semiconductors. Полученные результаты могут быть использованы менеджерами схожих корпораций для адаптации собственных стратегий роста. Научным сообществом данная работа может быть использована в качестве отправной точки для более глубокого изучения стратегий роста в более узких применениях полупроводников на рынках АТР.

Текст работы (работа добавлена 12 мая 2024 г.)

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ