Разработка электрооптического модулятора из тонкопленочного ниобата лития на изоляторе

АННОТАЦИЯ Работа 71 с., 34 рис., 2 табл., 49 источника ИНТЕГРАЛЬНАЯ ОПТИКА, НИОБАТ ЛИТИЯ, ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР Работа посвящена изготовлению и измерению основных характеристик интегрального электрооптического модулятора на тонкопленочном ниобате лития на изоляторе. Целью дипломной работы является разработка интегрального электрооптического модулятора на тонкопленочном ниобате лития на изоляторе и исследование характеристик выходного устройства. Для достижения цели были поставлены следующие задачи: 1. Проанализировать различные виды интегрально-оптических модуляторов и составить их сравнительную характеристику. 2. Разработать топологию ЭО модулятора из LNOI. 3. Составить численную модель, позволяющую определить толщину диэлектрической пленки, при которой оптические потери, вносимые золотыми контактами, будут минимальны. 4. Изготовить интегрально-оптический модулятор из тонкопленочного ниобата лития. 5. Измерить основные оптические характеристики готового интегрального электрооптического модулятора на LNOI, включая добротность, глубину резонансов. 6. Измерить основные электрооптические свойства изготовленного модулятора: величину сдвига длины волны на единицу напряжения, глубину модуляции и быстродействие. Показанный в работе интегральный электрооптический модулятор из тонкопленочного ниобата лития на изоляторе с добротностью порядка 18000 обладает полосой модуляции до 3,9 ГГц и потенциально способен работать при криогенных температурах. Практическая значимость выпускной квалификационной работы состоит в возможности использования изготовленного устройства в научно-исследовательской деятельности научных групп, занимающихся квантовой оптикой.