Исследование волноводных фотодетекторов для фотонных интегральных схем на основе A3 B5 соединений

Проведено исследование спектральных и пороговых характеристик микродискового лазера диаметром 30 мкм, который был сопряжён с оптическим волноводом, выполненным из той же гетероструктуры. Активная область и микролазера, и волновода состояла из 5 слоев квантовых точек InGaAs/GaAs. Измерения проходили в непрерывном режиме при комнатной температуре. Пороговый ток микролазера составлял 25 мА. Лазерная генерация имела одномодовый характер. Спектральное положение лазерной моды при инжекционном токе вблизи порога генерации составляло 1056 нм. При достижении инжекционным током величины 28 мА происходило переключение лазерной генерации на соседнюю моду шепчущей галереи на длине волны 1059.7 нм. Выполнено исследование зависимости темнового тока от величины обратного смещения на 217 мкм волноводном фотодетекторе с активной областью на основе InGaAs/GaAs квантовых точек. Темновой ток имел значение меньше 1.5 нА при величине обратного смещения вплоть до -20 В. Реализована оптопара на основе исследованного микродискового лазера, сопряжённого с оптическим волноводом в качестве источника излучения и исследованного волноводного фотодетектора в качестве приёмника излучения.