Maxim Kozhukhov
- Associate Professor:HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE) / School of Electronic Engineering
- Maxim Kozhukhov has been at HSE University since 2013.
Education and Degrees
- 2016
Candidate of Sciences* (PhD)
- 2011
Degree
Moscow State Institute of Electronics and Mathematics - 2011
Degree
Moscow State Institute of Electronics and Mathematics
* Candidate of Sciences
According to the International Standard Classification of Education (ISCED) 2011, Candidate of Sciences belongs to ISCED level 8 - "doctoral or equivalent", together with PhD, DPhil, D.Lit, D.Sc, LL.D, Doctorate or similar. Candidate of Sciences allows its holders to reach the level of the Associate Professor.
According to the International Standard Classification of Education (ISCED) 2011, Candidate of Sciences belongs to ISCED level 8 - "doctoral or equivalent", together with PhD, DPhil, D.Lit, D.Sc, LL.D, Doctorate or similar. Candidate of Sciences allows its holders to reach the level of the Associate Professor.
Courses (2023/2024)
- Analog and Digital Devices (Mago-Lego; 1-4 module)Rus
- Analog and Digital Devices (Master’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 1 year, 1-4 module)Rus
- CAD Systems for Micro- and Nanoelectronics Devices (Master’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 1, 2 module)Rus
- CAD Systems for Micro- and Nanoelectronics Devices (Mago-Lego; 1, 2 module)Rus
- Engineering in Electronics, Micro- and Nanoelectronics (mentor's workshop) (Master’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 1-3 module)Rus
- Engineering in Electronics, Micro- and Nanoelectronics (mentor's workshop) (Master’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 1 year, 1-4 module)Rus
- Measurement and Control of Parameters of Electronic Components and Means (Master’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 1, 2 module)Rus
- Measurement and Control of Parameters of Electronic Components and Means (Mago-Lego; 1, 2 module)Rus
- Past Courses
Courses (2022/2023)
- Analog and Digital Devices (Master’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 1 year, 1-4 module)Rus
- CAD Systems for Micro- and Nanoelectronics Devices (Master’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 1, 2 module)Rus
- Engineering in Electronics, Micro- and Nanoelectronics (mentor's workshop) (Master’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 1 year, 1-4 module)Rus
- Engineering in Electronics, Micro- and Nanoelectronics (mentor's workshop) (Master’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 1-3 module)Rus
- Measurement and Control of Parameters of Electronic Components and Means (Master’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 1, 2 module)Rus
Courses (2021/2022)
- Analog and Digital Devices (Master’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 1 year, 1-4 module)Rus
- CAD Systems for Micro- and Nanoelectronics Devices (Master’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 1, 2 module)Rus
- Engineering in Electronics, Micro- and Nanoelectronics (mentor's workshop) (Master’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 1 year, 1-4 module)Rus
- Measurement and Control of Parameters of Electronic Components and Means (Master’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 1, 2 module)Rus
Courses (2020/2021)
- CAD Systems for Micro- and Nanoelectronics Devices (Master’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 1, 2 module)Rus
- Design of Analog and Digital Devices (Master’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 1 year, 1-4 module)Rus
- Measurement and Control of Parameters of Electronic Components and Means (Master’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 1, 2 module)Rus
Conferences
- 2017Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА (Москва, Дубна). Presentation: КОМПАКТНАЯ SPICE МОДЕЛЬ ДЛЯ РАСЧЕТА ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК SiGe ГБТ ПРИ КРИОГЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ
- 2016Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем» (Москва). Presentation: TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов
- 2013
IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13) (Ростов-на-Дону). Presentation: SPICE Model Parameters Extraction Taking into Account the Ionizing Radiation Effects
Publications32
- Article Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В., Харитонов И. А., Попов Д. А., Силкин Д. С. Программно-аппаратный комплекс для определения параметров SPICE-моделей электронных компонентов для гражданских и специальных применений // Наноиндустрия. 2023. Т. 16. № S9-1(119). С. 179-188. doi
- Article Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В., Попов Д. А., Пугачев А. А., Самбурский Л. М., Силкин Д. С., Харитонов И. А. Подсистема TCAD- и SPICE-моделирования элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения // Наноиндустрия. 2022. Т. 15. № S8-1(113). С. 183-194. doi
- Article Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kozhukhov M., Ismail-zade M. R., Kharitonov I. A., Li B. SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from -200 °C to +300 °C) // IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 2021. Vol. 40. No. 4. P. 708-722. doi
- Article Кожухов М. В., Мухаметдинова А. Р. SPICE-модель для учета влияния эффекта горячих носителей в биполярных транзисторах // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. № 4. С. 81-85. doi
- Chapter Петросянц К. О., Кожухов М. В. Унифицированная SPICE-модель биполярного транзистора, учитывающая влияние различных видов радиации // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. М. : МАКС Пресс, 2020. С. 394-397. doi
- Chapter Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D. Radiation- and Temperature-Induced Fault Modeling and Simulation in BiCMOS LSI’s Components using RAD-THERM TCAD Subsystem, in: 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS). Cluj : IEEE, 2019. P. 1-4. doi
- Article Кожухов М. В., Безродных И. П., Морозова Е. И., Петрукович А. А. Динамика солнечной и геомагнитной активности. I. Источники геомагнитной активности, корональная масс-эжекция, высокоскоростные потоки солнечного ветра // Вопросы электромеханики. Труды ВНИИЭМ. 2019. Т. 170. № 3. С. 13-27.
- Article Безродных И. П., Морозова Е. И., Петрукович А. А., Кожухов М. В. Динамика солнечной и геомагнитной активности. II. Периодические вариации солнечной и геомагнитной активности // Вопросы электромеханики. Труды ВНИИЭМ. 2019. Т. 171. № 4. С. 24-38.
- Article Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D. Effective Radiation Damage Models for TCAD Simulation of Silicon Bipolar and MOS Transistor and Sensor Structures // Sensors and Transducers. 2018. Vol. 227. No. 11. P. 42-50.
- Chapter Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Dvornikov O. V., Savchenko E. M., Budyakov A. S. SPICE-model of SiGe HBT Taking into Account Radiation Effects, in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M. : IEEE, 2018. Ch. 380. P. 1-4. doi
- Article Кожухов М. В., Безродных И. П., Морозова Е. И., Петрукович А. А., Павлов Ю. С. Динамика КР-индекса геомагнитной активности для семи солнечных циклов (в период 1932 – 2014 годов). Сезонные вариации // Вопросы электромеханики. Труды ВНИИЭМ. 2018. Т. 167. № 6. С. 48-56.
- Article Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. Обобщенная TCAD-модель для учета радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов // Наноиндустрия. 2018. № 82. С. 404-405. doi
- Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozhukhov M., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. An Efficient Approach to Simulation of Radiation Effects in bipolar and MOSFET IC’s using Non-Specialized SPICE Simulators, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
- Chapter Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Dvornikov O. V., Prokopenko N. N. Extension of Standard SPICE SiGe HBT Models in the Cryogenic Temperature Range, in: 23rd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2017. doi P. 1-5. doi
- Chapter Petrosyants K. O., Popov D., Kozhukhov M. General Approach to TCAD Simulation of BJT/HBT and MOSFET Structures after Proton Irradiation, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
- Article Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Kozhukhov M. Measurements of the Electrical Characteristics of Bipolar and MOS Transistors Under the Effect of Radiation / Пер. с рус. // Measurement Techniques. 2017. Vol. 59. No. 10. P. 1104-1111. doi
- Chapter Petrosyants K., M.V. Kozhukhov. TCAD-SPICE Two Level Simulation of Si BJTs and SiGe HBTs Taking into Account Radiation Effects, in: PROBLEMS OF ADVANCED MICRO- AND NANOELECTRONIC SYSTEMS DEVELOPMENT (MES) SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016 Part IV, Design of Electron Component Base Part Part IV: SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016. M. : ., 2017. Ch. 1. P. 2-10.
- Chapter Dvornikov O. V., Dziatlau V., Prokopenko N., Petrosyants K., Kozhukhov M., Tchekhovski V. The Accounting of the Simultaneous Exposure of the Low Temperatures and the Penetrating Radiation at the Circuit Simulation of the BiJFET Analog Interfaces of the Sensors, in: 2017 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). IEEE, 2017. doi P. 1-6. doi
- Article Безродных И. П., Морозова Е. И., Петрукович А. А., Будяк М. Н., Кожухов М. В., Семенов В. Т. Влияние рекуррентных высокоскоростных потоков солнечного ветра на формирование структуры энергетических спектров электронов на геостационарной орбите // Вопросы электромеханики. Труды ВНИИЭМ. 2017. Т. 156. № 1. С. 33-49.
- Article Безродных И. П., Морозова Е. И., Петрукович А. А., Будяк М. Н., Кожухов М. В., Семенов В. Т. Модуляция интенсивности потоков частиц галактических космических лучей и частиц внешнего радиационного пояса рекуррентными высокоскоростными потоками плазмы солнечного ветра // Вопросы электромеханики. Труды ВНИИЭМ. 2017. Т. 157. № 2. С. 32-40.
- Chapter Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов // В кн.: Международный форум "Микроэлектроника-2017" 3-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и электронные модули". Республика Крым, г. Алушта, 02-07 октября 2017 г. М. : Техносфера, 2017. С. 344-347.
- Article Petrosyants K. O., Kozhukhov M. Physical TCAD model for proton radiation effects in SiGe HBTs // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2016. Vol. 63. No. 4. P. 2016 -2021. doi
- Article Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Кожухов М. В. Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации // Измерительная техника. 2016. № 10. С. 55-60.
- Chapter Кожухов М. В., Безродных И. П., Морозова Е. И., Петрукович А. А., Будяк М. Н., Семенов В. Т., Мусалитин А. А. Структура энергетических спектров потоков электронов внешнего радиационного пояса земли и динамика поглощенной дозы радиации в период минимума солнечной активности в 2007 г. И 2009 г. // В кн.: Актуальные проблемы создания космических систем дистанционного зондирования Земли. М. : АО «Корпорация «ВНИИЭМ», 2016. С. 300-309.
- Article Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Кожухов М. В. Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МДП-транзисторов для автоматизации проектирования радиационно-стойких БИС // Информационные технологии. 2015. Т. 21. № 12. С. 916-922.
- Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Kozhukhov M. Expanding Commercial SPICE Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence, in: Innovative Information Technologies: Materials of the International scientific-practical conference. Part 3 / Ed. by S. U. Uvaysov. Part 3. M. : HSE, 2014. P. 244-253.
- Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Кожухов М. В. ПОДСИСТЕМА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С УЧЕТОМ ДЕЙСТВИЯ ФАКТОРОВ ТЕМПЕРАТУРЫ И РАДИАЦИИ // В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции, 2014 / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: А. Н. Тихонов. М. : НИУ ВШЭ, 2014. С. 475-478.
- Book Л. М. Самбурский, М. В. Кожухов, Д. А. Попов Проектирование логической схемы на основе БМК «Мелисса»: Методические указания у выполнению домашнего задания по дисциплине «Микросхемотехника». М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2014.
- Chapter Петросянц К. О., Кожухов М. В. Схемотехническая SPICE-модель биполярного транзистора, учиты-вающая влияние различных видов радиации // В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments III Т. 3. Вып. III. CreateSpace, 2014. С. 23-26.
- Chapter Petrosyants K. O., Kozhukhov M. SiGe HBT Performance Modeling after Proton Radiation Exposure, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 274-277.
- Article Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., Орехов Е. В. Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учёта влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборы // Известия Южного федерального университета. Технические науки. 2012. № 6(131). С. 77-82.
- Chapter Petrosyants K. O., Vologdin E., Kozhukhov M. Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; Ed. by В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267-270.