Рябов Никита Иванович
- Старший научный сотрудник: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Департамент электронной инженерии
- Ведущий инженер: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Учебная лаборатория телекоммуникационных технологий и систем связи
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2012 году.
- Научно-педагогический стаж: 48 лет.
Oбразование, учёные степени и учёные звания
Достижения и поощрения
- Благодарность МИЭМ НИУ ВШЭ (апрель 2022)
Учебные курсы (2022/2023 уч. год)
- Теория электрических цепей (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)рус
- Электротехника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3 модуль)рус
- Архив учебных курсов
Учебные курсы (2021/2022 уч. год)
- Теория электрических цепей (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)рус
- Электротехника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3 модуль)рус
Учебные курсы (2020/2021 уч. год)
- Теория электрических цепей (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)рус
- Электротехника, электроника и метрология (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)рус
Конференции
- 2017
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Расчёт задержек в межсоединениях цифровых СБИС с учётом электро-тепловых эффектов
The Sixth China-Russia Conference on Numerical Algebra with Applications (CRCNAA 2017) (Москва). Доклад: Quasi – 3D Electrical and Thermal Modeling of Microelectronic Semiconductor Devices
- 2015
22-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика – 2015». Доклад: Исследование зависимости задержек в межсоединениях БИС от нагрева
I Международный симпозиум «Компьютерные измерительные технологии» (Москва). Доклад: Оценка погрешности при измерении времен задержки в межсоединениях
Современное состояние и перспективы развития технических наук. Доклад: Исследование влияния неравномерного нагрева на паразитные эффекты в межсоединениях БИС
Актуальные проблемы технических наук в России и за рубежом. Доклад: The simulation of delays in IC interconnects considering temperature effects
22-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика – 2015». Доклад: Исследование зависимости задержек в межсоединениях БИС от нагрева
22-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика – 2015». Доклад: Исследование зависимости задержек в межсоединениях БИС от нагрева
Участие в выполнении грантов, научных контрактов и договоров
2014
- Разработка методов, моделей и баз данных для проектирования электронных компонентов ЭВМ и РЭА космического назначения (полупроводниковых приборов, микросхем, СБИС, печатных плат) с учетом радиации и температуры. Грант РФФИ. 14-29-09145. Форма участия - участник гранта.
- Разработка методик экстракции параметров моделей электронной компонентной базы с учетом тепловых и радиационных эффектов из результатов измерений их характеристик. Работа по заказу ФГУП ВНИИА. Форма участия - участник работы.
2013
- НИР «Проведение исследований по созданию SPICE моделей электронных компонентов с учетом температурного воздействия», шифр «МОДЕЛЬ» (заказчик - ФГУП «ВНИИА» им. Н.Л. Духова». Форма участия - участник работы.
.
- Фундаментальная НИР "Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям", в рамках плана Фундаментальных исследований НИУ ВШЭ, ТЗ 108. Форма участия - участник работы
- Грант РФФИ "Исследование и разработка методов и средств электро-теплового проектирования микроэлектронных систем: полупроводниковых чипов, печатных плат и блоков " . ИППМ РАН, № проекта 12-07-00506 (2-ой этап) - Форма участия - участник работы.
- НИР «Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям» в рамках программы фундаментальных исследований НИУ ВШЭ- Форма участия - участник работы.
2012
- НИР «Поисковые исследования в области СВЧ БИС на основе кремний-германиевых гетероструктур для систем беспроводной связи и радарной техники», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России». Форма участия - участник работы
- НИР «Исследование характеристик субмикронных и глубоко субмикронных кремний-германиевых биполярных и МОП гетероструктурных транзисторов аналого-цифровых Би-КМОП СБИС для радио- и теле-коммуникационных систем», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (3-ий этап). – Форма участия - руководитель работы
- НИР «Разработка моделей, методов, алгоритмов проектирования интеллектуальных силовых модулей», грант РФФИ РАН, проект № 10-07-00689-а гос. бюджет (3-ой этап). Форма участия - руководитель работы
- НИР «Разработка математических моделей электронных компонентов с учетом воздействия спецфакторов», (заказчик - ФГУП «РФЯЦ-ВНИИТФ», г. Снежинск). - Форма участия - участник работы
Участие в конференциях
III Национальная ежегодная выставка-форум ВУЗПРОМЭКСПО-2015, Москва, площадка Технополиса «Москва», 2- 4 декабря 2015 года. Участие с экспонатами Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ в рамках проекта 5 -100 . Экспонат:
- Аппаратно-программный комплекс для исследования тепловых режимов электронных компонентов (разработка выполнена научной группой под руководством проф. Петросянца К.О.);
"Пульсар-2015" XIV Научно-техническая конференция "Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА" Москва, 7-9 октября 2015 г. Форма участия - выступление с докладом "Моделирование задержек в межсоединениях ИС с учетом температурных эффектов", соавтор: Е.И. Гладышева.
МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» - Микроэлектроника 2015, Крым, Алушта 28.09 – 03.10.2015 г. Форма участия- соавтор заказного доклада: Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР. Соавторы: К.О. Петросянц, П.А. Козынко, И.А. Харитонов.
International Conference on Advances in Computer Science and Electronics Engineering (CSEE 2014), March 08-09, 2014, Kuala Lumpur, Malaysia.
IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13). Rostov-on-Don, Rus-sia, September 27 – 30, 2013
IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). Kharkov, Ukraine, September 14 – 17, 2012.
18th International Workshop on THERMal INvestigation of ICs and Systems. Budapest, Hungary, September 25-27, 2012.
Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. XI научно-техническая конференция, Дубна, 17-19 октября 2012 г.
Авторские права и патенты
| № п/п | Номер РИД | Вид РИД | Наименование РИД | Сведения о регистрации | Авторы |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 6.0011-2013 | База данных | PATRIA-SiGe | 2013620405 | Торговников Р.А., Рябов Н.И., Петросянц К.О. |
Опыт работы
Я окончил Московский государственный институт электроники и математики в 1976 году.
В МИЭМ работаю с 1995 года, сначала - cтаршим преподавателем, а с 1997 - доцентом кафедры “Электроники и электротехники”.
Читал курсы лекций по следующим дисциплинам: Моделирование оборудования и технологических процессов. ФЭТ, специалисты. 4 курс, 210107.65; Электротехника и электроника. ФЭТ, бакалавриат, 2 курс, 211000.62; Электротехника. ФЭТ, бакалавриат, 2 курс, 222900.62; Методы математического моделирования. ФЭТ, магистратура, 1 курс, 210100 Инжиниринг в электронике, «Основы цифровой обработки сигналов», «Микропроцессорные системы» - на факультете АВТ МИЭМ в группах С-56, С-76, С-86, Моделирование оборудования и технологических процессов. ФЭТ, специалисты. 4 курс, руководил вычислительной практикой на 2м курсе.
В последние годы веду курсы Теория электрических цепей, специальность Инфокоммуникационные технологии и системы связи, 2й курс, Электротехника, электроника и метрология, часть 1 – электротехника, специальность Информатика и вычислительная техника, 2й курс. В этих кусах читаю лекции, веду практические и лабораторные занятия, осуществляю прием домашних работ.
Информация*
- Общий стаж: 48 лет
- Научно-педагогический стаж: 48 лет
- Преподавательский стаж: 29 лет
25-й Международный симпозиум по тепловым исследованиям ИС и систем ‑ THERMINIC 2019
В трехдневном мероприятии, состоявшемся в Лекко, Италия, приняли участие более 120 делегатов конференции из 23 стран с широким кругом специалистов в области развития технологий и управления промышленностью, в том числе из МИЭМ НИУ ВШЭ.
Событие года в мире микроэлектронных технологий
С 1 по 7 октября 2018 в г. Алушта, Республика Крым, прошел IV Международный форум «Микроэлектроника 2018». МИЭМ НИУ ВШЭ на форуме представляли ученые департамента электронной инженерии.