Рентгенорефлектометрическое исследование формирования, морфологии и кинетики роста металлических и полупроводниковых наноразмерных пленокX-ray reflectometry study of the formation, morphology and growth kinetics of metallic and semiconductor nanoscale films
Соискатель:
Руководитель:
Члены комитета:
Новиков Лев Симонович (Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына МГУ им. М.В. Ломоносова, д.ф.-м.н., председатель комитета), Артемьев Александр Николаевич (Курчатовский комплекс синхротронно-нейтронных исследований,Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» , к.ф.-м.н., член комитета), Васенко Андрей Сергеевич (ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», PhD, член комитета), Рогожкин Сергей Васильевич (ФГБУ «Институт теоретической и экспериментальной физики им. А.И. Алиханова Национального исследовательского центра «Курчатовский институт», д.ф.-м.н., член комитета), Селищев Павел Александрович (Университет Претории, ЮАР, д.ф.-м.н., член комитета)
Диссертация принята к предварительному рассмотрению:
9/17/2019
Диссертация принята к защите:
10/1/2019 (Протокол №14)
Дисс. совет:
Совет по инженерным наукам и прикладной математике
Дата защиты:
12/16/2019
Диссертация посвящена рентгенорефлектометрическому исследованию формирования, морфологии и кинетики роста металлических и полупроводниковых наноразмерных пленок. В работе использован усовершенствованный соискателем метод in situ рентгеновской рефлектометрии. Для практической реализации предложенного метода создан вакуумно-технологический комплекс с системой непрерывного in situ контроля параметров растущих пленок. Технические решения, описанные в диссертации, защищены шестью патентами Российской Федерации. На основе анализа совокупности экспериментальных временных зависимостей толщины, плотности, среднеквадратичной шероховатости поверхности пленки, а также интенсивности отраженного и рассеянного рентгеновского излучения исследованы начальные стадии роста пленок и определены механизмы их роста.
Диссертация [*.pdf, 2.83 Мб] (дата размещения 10/15/2019)
Резюме [*.pdf, 248.90 Кб] (дата размещения 10/15/2019)
Summary [*.pdf, 185.79 Кб] (дата размещения 10/15/2019)
Публикации, в которых излагаются основные результаты диссертации
Applying the in situ X-ray reflectometry method to define the nanodimensional silicon film parameters (смотреть на сайте журнала)
Кинетика роста наноразмерной пленки германия, осаждаемой на поверхности Si (001) методом магнетронного распыления (смотреть на сайте журнала)
Отзывы
Отзыв научного руководителя
- отзыв научного руководителя (дата размещения 9/26/2019)
Сведения о результатах защиты:
Комитет по диссертации рекомендовал присудить учёную степень кандидата технических наук НИУ ВШЭ (протокол №2 от 16.12.2019 г.). Решением диссертационного совета (протокол № 16 от 25.12. 2019г.) присуждена ученая степень кандидата технических наук НИУ ВШЭ.
См. на ту же тему
Быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор среднего-ИК диапазона на основе пленок нитрида ниобияКандидатская диссертация
Соискатель: Золотов Филипп Игоревич
Руководитель: Гольцман Григорий Наумович
Дата защиты: 10/10/2022