Электронный транспорт, локализация и статистика протекания заряда в квазиодномерных проводникахElectronic transport, localization and charge transfer statistics in quasi-one-dimensional conductors

Основной целью данной работы является исследование краевой электрической проводимости в квантовых ямах теллурида ртути для получения доказательств или противоречий геликальной природе краевых состояний. Научная значимость полученных результатов заключается в полученной новой информации относительно свойств электронного транспорта в квантовых ямах теллурида ртути, имеющей критическую важность для решения фундаментального вопроса о том, является ли данная система реализацией концепции двумерного топологического изолятора, а также вопроса о неизвестном эффективном механизме рассеяния, нарушающем топологическую защиту.С точки зрения практической значимости, крайняя чувствительность краевых состояний двумерных топологических изоляторов к магнитному полю может быть использована для создания датчиков/приборов, работа которых основана на данном свойстве.