Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.

  • A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

ТГц антенные решётки с использованием планарных диодов с барьером ШотткиTHz antenna arrays utilizing planar Schottky barrier diodes

Соискатель:
Приходько Анатолий Николаевич
Члены комитета:
Арутюнов Константин Юрьевич (Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», д. ф.-м. н., председатель комитета), Белкин Михаил Евсеевич (Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА - Российский технологический университет, д.т.н., член комитета), Вдовин Вячеслав Федорович (Федеральное государственное бюджетное научное учреждение «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук», д. ф.-м. н., член комитета), Тарасов Михаил Александрович (Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова Российской академии наук, д. ф.-м. н., член комитета), Худченко Андрей Вячеславович (Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им.П.Н. Лебедева Российской академии наук, к. ф.-м. н., член комитета)
Диссертация принята к предварительному рассмотрению:
11.06.2024
Диссертация принята к защите:
18.06.2024
Дисс. совет:
Совет по инженерным наукам и прикладной математике
Дата защиты:
8.10.2024
Диссертация посвящена исследованию возможности создания многоэлементных устройств маршрутизации и приема терагерцовых волн на основе планарных диодов с барьером Шоттки для сетей связи шестого поколения. Главным преимуществом предлагаемого подхода является возможность сверхбыстрой перестройки отражённого пучка и изготовления таких структур в рамках чистой комнаты. Предложена конструкция планарного диода с барьером Шоттки с Γ-образным вывешенным анодным мостиком позволяющая увеличить диапазон рабочих частот диода. Предложена конструкция матричного диодного детектора с построчным частотным разделением каналов и системой считывания отклика на основе СВЧ рефлектометра способна увеличить быстродействие пропорционально числу строк детектора при двукратном ухудшении чувствительности. Представлена гибридная модель элементарной ячейки реконфигурируемой антенной решетки терагерцового диапазона с микроконтактами Шоттки, учитывающая вольт-омную характеристику контакта в явном виде с использованием W0-функции Ламберта, обеспечивает возможность проектирования устройств с дискретным и непрерывным диаграммообразованием в отраженном свете.
Диссертация [*.pdf, 9.92 Мб] (дата размещения 5.07.2024)
Резюме [*.pdf, 222.45 Кб] (дата размещения 5.07.2024)
Summary [*.pdf, 193.96 Кб] (дата размещения 5.07.2024)

Публикации, в которых излагаются основные результаты диссертации



Отзывы
Отзыв научного руководителя
Отзыв члена Комитета
Сведения о результатах защиты:
Комитет по диссертации принял решение рекомендовать диссертационному совету присудить ученую степень кандидата наук (Протокол №2 от 08.10.2024). Решением диссертационного совета присуждена ученая степень кандидата наук (Протокол № 30 от 29.10.2024))