Диссертации, представленные на защиту и подготовленные в НИУ ВШЭ

Основной целью данной работы является исследование электронного транспорта в системах, где может наблюдаться топологический фазовый переход: квантовые ямы теллурида ртути и гибридные структуры сверхпроводник-полупроводниковый нанопровод. Представлены результаты, демонстрирующие локализацию электронов в геликальных краях квантовых ям теллурида ртути при 70 мК в нулевом магнитном поле. В трехтерминальных устройствах на основе полупроводникового нанопровода с центральным сверхпроводящим контактом и двумя нормальными по краям теоретически и экспериментально показано, что тепловой кондактанс центрального сегмента (нанопровод-сверхпроводник) может быть найден из измерений токового шума.

Основной целью данной работы является исследование краевой электрической проводимости в квантовых ямах теллурида ртути для получения доказательств или противоречий геликальной природе краевых состояний. Научная значимость полученных результатов заключается в полученной новой информации относительно свойств электронного транспорта в квантовых ямах теллурида ртути, имеющей критическую важность для решения фундаментального вопроса о том, является ли данная система реализацией концепции двумерного топологического изолятора, а также вопроса о неизвестном эффективном механизме рассеяния, нарушающем топологическую защиту.С точки зрения практической значимости, крайняя чувствительность краевых состояний двумерных топологических изоляторов к магнитному полю может быть использована для создания датчиков/приборов, работа которых основана на данном свойстве.