• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Бакалавриат 2022/2023

Введение в нанотехнологии

Лучший по критерию «Полезность курса для Вашей будущей карьеры»
Лучший по критерию «Полезность курса для расширения кругозора и разностороннего развития»
Лучший по критерию «Новизна полученных знаний»
Статус: Курс обязательный (Физика)
Направление: 03.03.02. Физика
Когда читается: 3-й курс, 3 модуль
Формат изучения: без онлайн-курса
Охват аудитории: для всех кампусов НИУ ВШЭ
Язык: русский
Кредиты: 3
Контактные часы: 36

Программа дисциплины

Аннотация

Дисциплина дает студентам основные сведения о полупроводниках, полупроводниковых наноматериалах, приборах на их основе и протекающих физических явлениях, обусловливающих их функциональность и свойства.
Цель освоения дисциплины

Цель освоения дисциплины

  • Формирование у студентов представлений об основных физических свойствах полупроводниковых наноматериалов, протекающих в них явлениях, приборах, использующих эти свойства и явления, а также о математическом аппарате, позволяющем адекватно описывать эти явления.
Планируемые результаты обучения

Планируемые результаты обучения

  • Знать основные свойства полупроводниковых материалов и наноструктур, методы их диагностики
  • Знать влияние размерного квантования на свойства полупроводниковых материалов и характеристики полупроводниковых приборов
  • Знать основы технологии полупроводниковых материалов и наноструктур и изготовления приборов на их основе
  • Знать основные физические явления, протекающие в полупроводниковых материалах и наноструктурах
  • Знать принципы работы основных полупроводниковых приборов и их базовые характеристики
  • Уметь правильно выбрать модель и осуществить численную оценку параметра полупроводникового материала и прибора
Содержание учебной дисциплины

Содержание учебной дисциплины

  • Тема 1. Полупроводниковые материалы, униполярные полупроводниковые приборы
  • Тема 2. Фотоэлектрические явления, биполярные приборы
  • Тема 3. Усиление и поглощение, гетеропереходы, полупроводниковые лазеры
  • Тема 4. Квантовые ямы, квантовые точки и приборы на их основе
Элементы контроля

Элементы контроля

  • блокирующий Экзамен
    Экзамен проводится в письменной форме. Экзаменационный билет содержит три вопроса из разных разделов курса. На подготовку ответа выделяется 2,5 часа.
  • неблокирующий Контрольная работа
    Контрольная работа проводится в форме письменного тестирования. Контрольная работа состоит из ответов на 10 вопросов. На написание контрольной работы выделяется 1 час.
Промежуточная аттестация

Промежуточная аттестация

  • 2022/2023 учебный год 3 модуль
    0.5 * Контрольная работа + 0.5 * Экзамен
Список литературы

Список литературы

Рекомендуемая основная литература

  • Ансельм А. И. - Введение в теорию полупроводников - Издательство "Лань" - 2021 - ISBN: 978-5-8114-0762-0 - Текст электронный // ЭБС ЛАНЬ - URL: https://e.lanbook.com/book/168898
  • Пасынков В. В., Чиркин Л. К. - Полупроводниковые приборы - Издательство "Лань" - 2021 - ISBN: 978-5-8114-0368-4 - Текст электронный // ЭБС ЛАНЬ - URL: https://e.lanbook.com/book/167773

Рекомендуемая дополнительная литература

  • Зегря, Г. Г. Основы физики полупроводников : учебное пособие / Г. Г. Зегря, В. И. Перель. — Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2009. — 336 с. — ISBN 978-5-9221-1005-1. — Текст : электронный // Лань : электронно-библиотечная система. — URL: https://e.lanbook.com/book/2371 (дата обращения: 00.00.0000). — Режим доступа: для авториз. пользователей.

Авторы

  • Жуков Алексей Евгеньевич
  • Спицина Кристина Станиславовна