• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
2024/2025

Технология полупроводниковых наногетероструктур

Статус: Маго-лего
Когда читается: 1, 2 модуль
Охват аудитории: для своего кампуса
Язык: русский
Кредиты: 6

Программа дисциплины

Аннотация

Дисциплина направлена на приобретение обучающимися знаний, умений и навыков в области исследования и разработки технологических процессов получения полупроводниковых приборов микро- и оптоэлектроники нового поколения на основе наногетероструктур соединений А3В5 и А2В6 с использованием современной эпитаксиальной технологии молекулярно-пучковой эпитаксии. Существенное внимание уделяется изучению физических закономерностей, определяющих свойства и поведение полупроводниковых соединений, применяемых в приборах и устройствах оптоэлектроники, во взаимосвязи с технологическими методами и условиями их получения. Курс направлен на формирование навыков проектирования технологического процесса получения гетероструктур с заданными свойствами, используя весь спектр известных в настоящее время полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6.