Магистратура
2024/2025




Технология полупроводниковых наногетероструктур
Статус:
Курс обязательный (Физика)
Направление:
03.04.02. Физика
Кто читает:
Департамент физики
Где читается:
Школа информатики, физики и технологий
Когда читается:
2-й курс, 1, 2 модуль
Формат изучения:
без онлайн-курса
Охват аудитории:
для своего кампуса
Преподаватели:
Жуков Алексей Евгеньевич
Прогр. обучения:
Физика
Язык:
русский
Кредиты:
6
Программа дисциплины
Аннотация
Дисциплина направлена на приобретение обучающимися знаний, умений и навыков в области исследования и разработки технологических процессов получения полупроводниковых приборов микро- и оптоэлектроники нового поколения на основе наногетероструктур соединений А3В5 и А2В6 с использованием современной эпитаксиальной технологии молекулярно-пучковой эпитаксии. Существенное внимание уделяется изучению физических закономерностей, определяющих свойства и поведение полупроводниковых соединений, применяемых в приборах и устройствах оптоэлектроники, во взаимосвязи с технологическими методами и условиями их получения. Курс направлен на формирование навыков проектирования технологического процесса получения гетероструктур с заданными свойствами, используя весь спектр известных в настоящее время полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6.
Цель освоения дисциплины
- Приобретение обучающимися знаний, умений и навыков в области исследования и разработки технологических процессов получения полупроводниковых приборов микро- и оптоэлектроники
Планируемые результаты обучения
- Знает основы теории формирования новой фазы на поверхности твердого тела.
- Знает процессы кинетики роста тонких пленок.
Содержание учебной дисциплины
- Основы теории формирования новой фазы на поверхности твердого тела
- Кинетика роста тонких пленок
- Качественная картина ростового процесса в гетероэпитаксиальных системах
- Нитевидные нанокристаллы (нановискеры)
Элементы контроля
- Контрольная работа
- Устный экзаменЭкзамен проверяет освоение учащимся материала курса, а также умение самостоятельно пользоваться полученными знаниями. Экзаменационный билет состоит из двух вопросов из списка вопросов к экзамену. После ответа на вопросы экзаменатор задаёт дополнительные вопросы и, в случае успешного ответа на них, задачу. Ответ на дополнительные вопросы не предполагает трудоёмких вычислений или длинных рассуждений и проверяет общее знание курса. На подготовку ответа выделяется 2,5 часа.
Список литературы
Рекомендуемая основная литература
- Антоненко, С. В. Технология наноструктур : учебное пособие / С. В. Антоненко. — Москва : НИЯУ МИФИ, 2008. — 116 с. — ISBN 978-5-7262-0947-0. — Текст : электронный // Лань : электронно-библиотечная система. — URL: https://e.lanbook.com/book/75885 (дата обращения: 00.00.0000). — Режим доступа: для авториз. пользователей.
- Капустин В.И., Сигов А.С. - Технология производства и контроль качества наноматериалов и наноструктур - НИЦ ИНФРА-М - 2019 - ISBN: 978-5-16-015278-3 - Текст электронный // ЭБС ZNANIUM - URL: https://znanium.com/catalog/document?id=363017
Рекомендуемая дополнительная литература
- Корабельников, Д. В. Физика наноструктур : учебное пособие / Д. В. Корабельников, Н. Г. Кравченко, А. С. Поплавной. — Кемерово : КемГУ, 2016. — 161 с. — ISBN 978-5-8353-2048-6. — Текст : электронный // Лань : электронно-библиотечная система. — URL: https://e.lanbook.com/book/92377 (дата обращения: 00.00.0000). — Режим доступа: для авториз. пользователей.