Исмаил-Заде Мамед Рашидович
- Старший преподаватель, Научный сотрудник: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Департамент электронной инженерии
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2013 году.
- Научно-педагогический стаж: 10 лет.
Oбразование и учёные степени
Дополнительное образование / Повышение квалификации / Стажировки
Программа повышения квалификации «Английский язык. Углубленное изучение General English, уровень Elementary», НИУ ВШЭ, 2019 г. Сертификат (PDF, 715 Кб)
Программа повышения квалификации «Предпринимательское мышление и поддержка предпринимательских инициатив студентов», НИУ ВШЭ, 2018 г. Удостоверение (PDF, 1006 Кб)
Достижения и поощрения
- Благодарность МИЭМ НИУ ВШЭ (апрель 2022)
Лучший преподаватель — 2023–2024, 2018–2019
Группа высокого профессионального потенциала (кадровый резерв НИУ ВШЭ)
Категория "Новые преподаватели" (2019)
Образование
2015 Магистратура: НИУ ВШЭ, департамент: Электронной инженерии, специальность: Электроника и наноэлектроника
2010 Магистратура: Ташкентский государственный технический университет, факультет: Электроники и автоматики, специальность: Медико-биологические аппараты, системы и комплексы
2008 Бакалавриат: Ташкентский государственный технический университет, факультет: Электроники и автоматики, специальность: Приборостроение
Учебные курсы (2024/2025 уч. год)
- Проектный семинар "Введение в специальность" (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 3, 4 модуль)рус
- Схемотехника телекоммуникационных устройств (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1, 2 модуль)рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1 модуль)рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 4 модуль)рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)рус
- Архив учебных курсов
Учебные курсы (2023/2024 уч. год)
- Проектный семинар "Введение в специальность" (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 3, 4 модуль)рус
- Схемотехника телекоммуникационных устройств (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1, 2 модуль)рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1 модуль)рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 4 модуль)рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)рус
Учебные курсы (2022/2023 уч. год)
- Схемотехника телекоммуникационных устройств (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1, 2 модуль)рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1 модуль)рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 4 модуль)рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)рус
Учебные курсы (2021/2022 уч. год)
- Схемотехника телекоммуникационных устройств (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1, 2 модуль)рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 4 модуль)рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)рус
- Электротехника, электроника и метрология (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1, 2 модуль)рус
Учебные курсы (2020/2021 уч. год)
- Схемотехника телекоммуникационных устройств (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 3, 4 модуль)рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)рус
- Электротехника, электроника и метрология (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1, 2 модуль)рус
- Электротехника, электроника и метрология (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)рус
Конференции
- 2020
Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых (Республика Крым, г. Ялта). Доклад: SPICE модели субмикронных КМОП транзисторов в диапазоне криогенной температуры
- 2019
Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых (Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф). Доклад: SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температуры (–200…+300°C)
- 2018
XVIII Научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Отечественная библиотека моделей МОП-транзисторов для расчетов КМОП БИС с учетом радиации и температуры
XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C
Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Принципы разработки библиотек SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства
Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
- 2017
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского (Москва). Доклад: Подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C)
XVII научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Исследование характеристик и определение параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ в диапазоне температуры до 300°C
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)
- 2016
Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В. Арменского. Доклад: Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов
XVI ежегодный международный научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300°С
Опыт работы
2023 г. - н.в. Старший преподаватель Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ.
2020 - 2023 г.г. Преподаватель Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ.
2018 - 2020 г.г. Ассистент Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ.
2013 - 2018 г.г. Учебный ассистент МИЭМ НИУ ВШЭ.
Информация*
- Общий стаж: 10 лет
- Научно-педагогический стаж: 10 лет
- Преподавательский стаж: 10 лет
Школа молодых ученых в “Сириусе”: успехи и перспективы российской электроники
Недавно прошла Школа молодых ученых (ШМУ) на базе Федеральной территории “Сириус”, организованная ОНИТ РАН, АО “НИИМЭ” и МФТИ. Мероприятие собрало студентов, аспирантов и преподавателей из разных университетов России, включая представителей МИЭМ НИУ ВШЭ, а также сотрудников таких организаций, как АО “НИИМЭ”, СБЕР, “НМ-ТЕХ”, YADRO. Отдельно стоит отметить, что профессор МИЭМ Константин Петросянц получил награду за значительный вклад в развитие отрасли и подготовку специалистов.
Проекты ученых МИЭМ НИУ ВШЭ завоевали две медали на Международном Салоне изобретений и инновационных технологий «Архимед»
С 19 по 21 марта 2024 г. в выставочном зале бизнес-центра «Амбер-Плаза» проходил XXVII Московский Международный Салон изобретений и инновационных технологий «Архимед». Участниками Салона стали представители 272 организаций из 28 государств и 30 регионов Российской Федерации, которые продемонстрировали широкой научно-технической общественности 570 российских и 198 зарубежных инновационных проектов и изобретений, в том числе два проекта МИЭМ НИУ ВШЭ.
Учителя и ученики растут вместе!
От МИЭМ НИУ ВШЭ на Школу молодых ученых «Микроэлектроника-2021» прибыла делегация «учителей» и «учеников».
Ученые и студенты МИЭМ приняли участие в VI Международном Форуме «Микроэлектроника 2020»
В рамках Форума, который прошел 22-24 сентября в Гурзуфе, состоялись XIII Международная Конференция «Кремний-2020» и XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, где миэмовцы представили свои доклады. Студенческий доклад Дмитрия Звягинцева был признан лучшим в своей секции.
“Не бойтесь слова “аспирантура”!”
Продолжаем серию статей об аспирантской школе по техническим наукам. Сегодня наш герой — Мамед Исмаил-Заде, ещё один выпускник 2019-го года
Контроль электронных компонентов и другие важные исследования – в основе взаимоотношений с компанией «ФОРМ»
29 мая в МИЭМ НИУ ВШЭ прошел семинар «Современные инструменты контроля и исследований электронной компонентой базы», организованный совместно департаментом электронной инженерии МИЭМ и предприятием ООО «ФОРМ», разработчиком и производителем автоматизированных средств измерений электронных компонентов - Тестеров FORMULA.
Актуальные проблемы спецстойкой электроники
С 10 по 11 апреля 2019 в г. в загородном отеле «Чайка» (Нижегородская область, поселок Жёлнино), прошла конференция «Спецстойкая микроэлектроника 2019». Конференция организована Госкорпорацией «Росатом» в Нижнем Новгороде. Цель мероприятия – комплексно рассмотреть актуальные вопросы разработки, проектирования, производства и применения отечественной стойкой электронной компонентной базы; содействовать развитию отечественной стойкой микроэлектроники.
Событие года в мире микроэлектронных технологий
С 1 по 7 октября 2018 в г. Алушта, Республика Крым, прошел IV Международный форум «Микроэлектроника 2018». МИЭМ НИУ ВШЭ на форуме представляли ученые департамента электронной инженерии.
Точные измерения – основа качества и безопасности
С 15 по 17 мая 2018 года в Москве на ВДНХ в павильоне №75 прошли 14-ый Московский международный инновационный форум и выставка «Точные измерения – основа качества и безопасности», на которой МИЭМ НИУ ВШЭ представлял свои разработки.
XV Международная конференция в области проектирования и тестирования электронных схем
В сербском городе Нови Сад при поддержке Международного института инженеров электротехники и электроники (IEEE) проходила XV Международная конференция в области проектирования и тестирования электронных схем (15-th IEEE EAST-WEST DESIGN & TEST SYMPOSIUM, EWDTS 2017). На конференции среди прочих сообщений были представлены два доклада сотрудников департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ
Международный авиационно-космический салон МАКС-2017
С 18 по 23 июля 2017 года в городе Жуковский Московской области прошел Международный авиационно- космический салон МАКС-2017, который является одним из крупнейших и престижнейших мировых авиа-форумов.
«Делай в России!»
В г. Новосибирске в МВК «Новосибирск Экспоцентр» прошел Пятый юбилейный Международный форум технологического развития «Технопром» и выставка «НТИ ЭКСПО», которая традиционно проходит в рамках Форума.
Международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017
С 22 по 25 мая 2017 года в китайской «Кремниевой долине», в городе Чэнду – столице провинции Сычуань состоялась крупная международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017 International Workshop on Reliability of Micro-and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment (May 22-24, 2017, Chengdu, China). Конференция собрала свыше 200 участников из США, России, Китая, Германии, Франции, Великобритании, Канады, Бельгии, Австрии.
Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур
С 1 по 2 марта 2017 г. Федеральное государственное унитарное предприятие «Федеральный научно-производственный центр «Научно-исследовательский институт им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) проводил семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких сверхбольших интегральных систем (СБИС) на основе гетероструктур»
Международный форум «Микроэлектроника 2016»
С 26 по 30 сентября 2016 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2016», где с докладами выступили сотрудники Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ
XVI ежегодный научно-практический семинар с международным участием «Проблемы создания специализированных СБИС на основе гетероструктур»
Мероприятие, в котором 2-3 марта 2016 г. приняли участие преподаватели департамента, было организовано ФГУП «Федеральный научно-производственный центр НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) в лице Межведомственного центра по разработке и производству электронной компонентной базы.