Разработка и исследование схемотехнических SPICE-моделей MOSFET и JFET-транзисторов с учетом тепловых эффектовDevelopment and research of MOSFET and JFET compact SPICE models with account for thermal effects

Диссертационная работа посвящена разработке и исследованию схемотехнических SPICE-моделей MOSFET и JFET-транзисторов, предназначенных для расчета электронных схем, работающих в сверхшироком диапазоне температур: от –270°C до +300°C. Для построения температурных версий SPICE-моделей использовался универсальный подход, заключающийся в комбинации макромоделирования на базе стандартной модели из состава SPICE-симулятора и введения дополнительных аналитических функций для температурно-зависимых параметров. Разработана методика и программный модуль для определения параметров разработанных моделей MOSFET и JFET-транзисторов из результатов измерений их электрических характеристик в широком диапазоне температур. Достоверность результатов подтверждена достаточным для практических расчетов совпадением результатов моделирования с экспериментальными электрическими характеристиками всех типов MOSFET и JFET структур, рассмотренных в диссертации, в исследуемых диапазонах температур.