Исследование критической температуры сверхпроводящего перехода тонких пленок алюминияInvestigation of the critical temperature of the superconducting transition of thin aluminum films

Диссертационное исследование посвящено изучению изменения критической температуры в тонких плёнках алюминия с уменьшением их толщины и влиянию различных характеристик плёнок на это изменение. Сверхпроводящие структуры были изготовлены методом молекулярно-лучевой эпитаксии и методом электронно-лучевого напыления. Экспериментально установлены зависимости критической температуры алюминия от толщины плёнок, материала подложки, способа изготовления, размера гранул, остаточного сопротивления, количества слоёв в плёночных структурах и времени оксидирования диэлектрика между сверхпроводящими прослойками в таких образцах. Показано, что увеличение критической температуры есть размерный эффект, не зависящий от морфологии образца или материала подложки, а само явление может быть качественно объяснено в рамках модели резонанса формы, являющегося следствием квантового размерного эффекта.