• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Экспериментальное исследование квантовых явлений в гибридных сверхпроводящих системах на основе топологических изоляторовEXPERIMENTAL STUDY OF THE QUANTUMPHENOMENA IN HYBRIDSUPERCONDUCTING SYSTEMS BASED ONTOPOLOGICAL INSULATORS

Соискатель:
Яковлев Дмитрий Сергеевич
Руководитель:
Столяров Василий Сергеевич (др. работы под рук-вом)
Члены комитета:
Бобкова Ирина Вячеславовна (ФГАОУ ВО "Московский физико-технический институт" (Национальный Исследовательский Университет), д. ф. - м. н., председатель комитета), Водолазов Денис Юрьевич (Институт физики микроструктур РАН - филиала "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова - Грехова Российской академии наук", д.ф. - м. н., член комитета), Овсянников Геннадий Александрович (ФГБУН Российской академии наук "Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН", д. ф.-м. н., член комитета), Панкратов Андрей Леонидович (Институт физики микроструктур РАН - филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова - Грехова Российской академии наук", д. ф. - м. н., член комитета), Чернов Александр Игоревич (ФГАОУ ВО "Московский физико-технический институт" (Национальный Исследовательский Университет), д. ф. - м. н., член комитета)
Диссертация принята к предварительному рассмотрению:
12/11/2023
Диссертация принята к защите:
12/26/2023
Дисс. совет:
Совет по инженерным наукам и прикладной математике
Дата защиты:
4/15/2024
Диссертационная работа посвящена экспериментальному исследованию электронно-транспортных свойств джозефсоновских контактов на основе нанокристаллов топологических изоляторов. В основе исследования лежит индуцирование сверхпроводящих корреляций из сверхпроводника в топологический изолятор, проявляющее уникальные особенности электронных свойств материала. Была разработана и реализована специализированная установка для синтеза монокристаллов топологических изоляторов методом физического осаждения из газовой фазы (PVD) с двузонным индукционным нагревом. Установка позволяет контролировать дефицит селена дихалькогенида висмута Bi2(Te𝑥Se1−𝑥)3влияющего на положение уровня Ферми. Получены ультратонкие нанокристаллы Bi2(Te𝑥Se1−𝑥)3с нестехиометрическим содержанием селена Bi2Te2.3Se0.7. На основе полученных нанокристаллов впервые изготовлены субмикронные планарные джозефсоновские контакты Nb-Bi2Te2.3Se0.7-Nb различной геометрии. Теоретический анализ данных о проводимости, а также анализ температурной зависимости критического тока указывает на баллистический характер переноса заряда через нанокристаллы Bi2Te2.3Se0.7. Джозефсоновские контакты Nb- Bi2Te2.3Se0.7-Nb в присутствии внешнего высокочастотного излучения демонстрируют исчезновение первой ступеньки Шапиро в диапазоне частот изучения от 1 ГГц до 2 ГГц. Проведённый теоретический расчет с использованием tRSJ модели демонстрирует, что такое поведение может свидетельствовать о присутствии вклада 4𝜋-периодичной компоненты в сверхток как минимум на уровне 5%.
Диссертация [*.pdf, 5.38 Мб] (дата размещения 2/12/2024)
Резюме [*.pdf, 310.37 Кб] (дата размещения 2/12/2024)
Summary [*.pdf, 6.27 Мб] (дата размещения 2/12/2024)

Отзывы
Отзыв научного руководителя
Сведения о результатах защиты:
Комитет по диссертации рекомедовал присудить ученую степень кандидата наук (Протокол №2 от 15.04.2024). Решением диссертационного совета присуждена ученая степень кандидата технических наук (Протокол № 14 от 23.04.2024г.)