Петросянц Константин Орестович
- Профессор-исследователь, Ведущий научный сотрудник: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Департамент электронной инженерии
- Ординарный профессор (2013)
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2012 году.
- Научно-педагогический стаж: 55 лет.
Oбразование, учёные степени и учёные звания
Достижения и поощрения
- Медаль "Признание - 25 лет успешной работы" НИУ ВШЭ (декабрь 2022)
- Почетная грамота НИУ ВШЭ (апрель 2022)
- Благодарность первого проректора НИУ ВШЭ (июль 2018)
- Премия Правительства РФ в области образования (декабрь 2016)
- Почетный работник высшего профессионального образования РФ (сентябрь 2012)
- Премия Правительства Российской Федерации (март 2000)
- Лауреат Премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники (март 1999)
- Медаль "В память 850-летия Москвы" (декабрь 1998)
Надбавка за академическую работу (2016–2017, 2014–2015, 2013–2014)
Надбавка за публикацию в международном рецензируемом научном издании (2018–2019, 2017–2018)
Лучший преподаватель — 2016
Учебные курсы (2024/2025 уч. год)
- Инжиниринг в электронике, микро- и наноэлектронике (семинар наставника) (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1-3 модуль)рус
- Инжиниринг в электронике, микро- и наноэлектронике (семинар наставника) (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)рус
- Микро- и наноэлектроника (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1, 2 модуль)рус
- Микро- и наноэлектроника (Маго-лего; 1, 2 модуль)рус
- Перспективные направления мировой и отечественной электроники (Аспирантура; 1-й курс, 1 семестр)рус
- Архив учебных курсов
Учебные курсы (2023/2024 уч. год)
- Инжиниринг в электронике, микро- и наноэлектронике (семинар наставника) (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1-3 модуль)рус
- Инжиниринг в электронике, микро- и наноэлектронике (семинар наставника) (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)рус
- Микро- и наноэлектроника (Маго-лего; 1, 2 модуль)рус
- Микро- и наноэлектроника (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова направление: 11.04.04. Электроника и наноэлектроника, направление: 11.04.04. Электроника и наноэлектроника; 1-й курс, 1, 2 модуль)рус
- Перспективные направления мировой и отечественной электроники (Аспирантура; 1-й курс, 1 семестр)рус
Учебные курсы (2022/2023 уч. год)
- Инжиниринг в электронике, микро- и наноэлектронике (семинар наставника) (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)рус
- Инжиниринг в электронике, микро- и наноэлектронике (семинар наставника) (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1-3 модуль)рус
- Микро- и наноэлектроника (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1, 2 модуль)рус
- Микро- и наноэлектроника (Маго-лего; 1, 2 модуль)рус
- Перспективные направления мировой и отечественной электроники (Аспирантура; 1-й курс, 1 семестр)рус
Учебные курсы (2021/2022 уч. год)
- Инжиниринг в электронике, микро- и наноэлектронике (семинар наставника) (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)рус
- Микро- и наноэлектроника (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова направление: 11.04.04. Электроника и наноэлектроника, направление: 11.04.04. Электроника и наноэлектроника; 1-й курс, 1, 2 модуль)рус
- Перспективные направления мировой и отечественной электроники (Аспирантура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова направление: 03.06.01. Физика и астрономия, направление: 11.06.01. Электроника, радиотехника и системы связи; 1-й курс, 1 семестр)рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)рус
Учебные курсы (2020/2021 уч. год)
- Микро- и наноэлектроника (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова направление: 11.04.04. Электроника и наноэлектроника, направление: 11.04.04. Электроника и наноэлектроника; 1-й курс, 1, 2 модуль)рус
- Перспективные направления мировой и отечественной электроники (Аспирантура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1 семестр)рус
- Электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)рус
Участие в редколлегиях научных журналов
Конференции
- 2018
XVIII Научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Отечественная библиотека моделей МОП-транзисторов для расчетов КМОП БИС с учетом радиации и температуры
XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C
Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Принципы разработки библиотек SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства
Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
- 2017
XVII научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Расчёт задержек в межсоединениях цифровых СБИС с учётом электро-тепловых эффектов
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Библиотека SPICE-моделей МОП и биполярных транзисторов для расчёта КМОП и БиКМОП СБИС космического назначения
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
- 2016
The IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016) (Фос-ду-Игиасу). Доклад: Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model
Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Модели полупроводниковых приборов для проектирования БИС космического назначения
Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Схемотехнические SPICE модели элементов БИС, учитывающие радиационные эффекты
Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм
Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Моделирование конструктивно-технологических разновидностей КНИ МОП-транзисторов с повышенной радиационной и температурной стойкостью
24th Telecommunications Forum (Белград). Доклад: Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects
XVI ежегодный международный научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300°С
- 2015
EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon Bologna, Italy, IEEE, 2015 (Bologna). Доклад: SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects
Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» («СТОЙКОСТЬ») (Лыткарино, Московская обл.). Доклад: Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик
The 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications (Пиза). Доклад: Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography
VIII-th International Workshop NDT in Progress (Прага). Доклад: Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography
Международная конференция «Микроэлектроника 2015», «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» (Сочи). Доклад: Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)
24-th European conference on radiation and its effects on components and systems (RADECS-2015) (Москва). Доклад: Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects
ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов
ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)
2nd International Conference on Modeling Identification and Control. MIC 2015 (Paris). Доклад: High-k Gate Stacks Influence on Characteristics of Nano-scale MOSFET Structures
XXV Международная конференция «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь). Доклад: Приборно-технологическое моделирование характеристик SiGe ГБТ при воздействии протонов
2017 год
Международный Форум «Микроэлектроника 2017», 3-я Международная конференция «Микроэлектроника – ЭКБ и электронные модули», 2 -7 октября 2017 г. , г. Алушта (Республика Крым). Форма участия - представил доклады:
1. Компактные SPICE-модели элементов КМОП и БиКМОП СБИС, работающих в экстремальных условиях
2. Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП- и биполярных транзисторов.
3. Соавтор доклада "Особенности моделирования субмикронных МОП-транзисторов для расчёта низковольтных и микромощных КМОП СБИС". Другие соавторы Харитонов И. А., Лебедев С. В., Стахин В. Г.,
XV-ая научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА», 27-29 сентября 2017 г., г. Москва – Дубна. Форма участия - представил доклад:
- SPICE модели Si/SiGe биполярных и МОП-транзисторов для расчета ИС с учетом влияния радиации и температуры,
- Соавтор доклада "TCAD моделирование радиационно-индуцированных токов утечки стока в КНИ МОПт при повышенных температурах", другие соавторы: Харитонов И.А., Попов Д.А.,
- Соавтор доклада: "Компактная SPICE модель для расчета электрических характеристик SiGe ГБТ при криогенных температурах". Другие соавторы: О.В. Дворников, Н.Н. Прокопенко, М.В. Кожухов, Будяков А.С., Будяков П.С.
16-ая Российская научно-техническая конференция «ЭЛЕКТРОНИКА, МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА», c 3 по 7 июля 2017 года, г. Суздаль. Форма участия - представил доклад:
- Расчет задержек в межсоединениях цифровых СБИС с учетом электро-тепловых эффектов. Соавторы Е.И. Батаруева, Н.И. Рябов
- Соавтор доклада "ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ SPICE-МОДЕЛЕЙ КНИ МОПТ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ (ДО МИНУС 200°C)" (соавторы: И.А. Четвериков, Е.Ю. Кузин)
Международный авиационно-космический салон МАКС-2017, 18 -23 июля 2017, г. Жуковский (Моск. обл.) (https://www.aviasalon.com/). «МАКС» является одним из крупнейших и престижнейших мировых авиа-форумов. Форма участия -cоавтор экспоната «Программно-аппаратный комплекс для исследования электронной компонентной базы для аэро-космических применений» (раздел «Вузовская наука и авиационно-техническое творчество молодежи».). Соавторы: Харитонов И.А., Львов Б.Г., Самбурский Л.М., Попов Д.А., Исмаил-Заде М.Р., Кожухов М.В., Балакин С.В., Кофанов Ю.Н., Манохин А.И., Мелех Н.А.).
Пятый юбилейный Международный форум технологического развития «Технопром» и выставка «НТИ ЭКСПО», с 20 по 23 июня 2016 г., г. Новосибирск, МВК «Новосибирск Экспоцентр» . Соавтор экспоната «Аппаратно-программный комплекс для измерения и параметризации компонентов экстремальной электроники для гражданского и специального применений.» (другие соавторы: И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский, М.Р. Исмаил-Заде и др.).
Крупнейший мировой симпозиум по проблеме учета тепловых процессов в электронной аппаратуре The 33-th SEMI-THERM Symposium «Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management». 13 - 17 марта 2017, США, штат Калифорния, в самом сердце «Кремниевой долины».Форма участия - предсталение доклада: «High Temperature Submicron SOI CMOS Technology Characterization for Analog and Digital Applications up to 300°C», соавторы Харитонов И.А., Самбурский Л.М. , Стахин В.Г., Лебедев С.В., Исмал-Заде М.Р., Игнатов П.
Cеминар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 1 -2 марта 2017 г., проводил ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород). Форма участия - cоавтор доклада «Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС» (авторы К. О. Петросянц, И. А. Харитонов , Л. М. Самбурский, М.Р. Исмаил-Заде, В. Г. Стахин, С. В. Лебедев)
2016 год
24-ой Международный форум по телекоммуникациям (24-th Telecommunications Forum, TEFOR 2106). Белград, Сербия, 22-23 ноября 2016 г. Форма участия - cсоавтор доклада: Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects, Соавторы: И.А. Харитонов, Е.И. Батаруева
Международная конференция 22-nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016). Будапешт, Венгрия, 21-23 сентября 2016. Форма участия- соавтор доклада "Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C)". Авторы:Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Sambursky L. M., Veniamin G. Stakhin, Kharitonov I. A.
Международный форум «Микроэлектроника 2016», г. Алушта, Республика Крым, 26 - 30 сентября 2016 г. 2-я Международная научная конференция «Интегральные схемы и электронные модули». Форма участия - соавтор докладов: 1) "Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов. Схемотехнические SPICE-модели." Петросянц К.О. 2) "Моделирование конструктивно-технологических разновидностей КМОП КНИ транзисторов с повышенной радиационной и температурной стойкостью ." Авторы: Петросянц К.О., Попов Д.А. 3) "Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов для высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм". Авторы: Петросянц К.О., Харитонов, И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М.Р., Лебедев С. В., Стахин В. Г. (Зеленоградский нанотехнологичечский Центр).
Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем», проводимая ФГУПП «НИИП», г. Лыткарино, 7-8 июня 2016. Форма участия - соавтор докладов: 1) "Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторах, выполненных по различным вариантам КМОП технологии.", авторы К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский, Д.А. Попов, Р.Ш. Ихсанов (ФГУПП «НИИП»); 2) Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300оС)", авторы К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Д.А. Попов , В. Г. Стахин, С. В. Лебедев (3АО «Зеленоградский нанотехнологический центр»)
Международная конференция The IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016), 6.04.2016 - 8.04.2016, Бразилия, Фос-ду-Игиасу. Форма участия - докладчик. Доклад "Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model". Соавторы: Львов Б.Г., Харитонов И.А, Самбурский Л.М.
2015 год
Международная конференция Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management Symposium (SEMITHERM- 2015). Крупнейший международный форум по вопросам теплового проектирования и контроля элеткронных компонентов и систем. San Jose, CA, USA, 15-19 марта Доклад "Electro-Thermal Modeling of Trench-Isolated SiGe HBTs Using TCAD". Соавтор -Торговников Р.А.
III Национальная ежегодная выставка-форум ВУЗПРОМЭКСПО-2015, Москва, площадка Технополиса «Москва», 2- 4 декабря 2015 года. Участие с экспонатами Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ в рамках проекта 5 -100 . Экспонаты:
- Система целевой подготовки и переподготовки инженерных кадров в области электроники для аэрокосмической и оборонных отраслей;
- Аппаратно-программный комплекс для исследования тепловых режимов электронных компонентов (разработка выполнена научной группой под руководством проф. Петросянца К.О.);
- Программно-аппаратный комплекс для расчета и оценки радиационной стойкости электронной компонентной базы (разработка выполнена научной группой под руководством проф. Петросянца К.О.);
Международное совещание экспертов по проблеме «Влияние неразрушающих методов тестирования и контроля на технический прогресс (VIIIth International Workshop on NonDestructive Test (NDT) in Progress. Meeting of NDT Experts», 12 -14 октября 2015 г., Чехия, г. Прага . Форма участия- докладчик на тему «Неразрушающий тестирование перегрева электронных компонентов методами инфракрасной термографии» («Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography»). Соавтор- проф. Харитонов И.А.
Международная специализированная выставка «Импортозамещение—2015», МВЦ «Крокус-ЭКСПО», 14 - 17 сентября 2015 г. Форма участия- доклад от МИЭМ НИУ ВШЭ на тему «Система целевой подготовки и переподготовки кадров в области электроники для аэрокосмической и оборонных отраслей». Соавторы - Тихонов А. Н., Абрамешин А. Е., Львов Б. Г., Увайсов С. У., Харитонов И. А. (все МИЭМ НИУ ВШЭ), Балакин С. В. (РКК «Энергия» им. С. П. Королёва), Крутиков В. Н. (ВНИИОФИ), Казанский А. Г. (НИИСУ), Четыркин А. Н. (НИИКП).
ХIV научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». Москва, ОАО НПП «Пульсар», 7-9 октября 2015 года .Форма участия- соавтор докладов: "Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов". Соавторы И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский, В.М. Олухов. Соавтор доклада "Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)". Соавторы И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский
МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» - Микроэлектроника 2015, Крым, Алушта 28.09 – 03.10.2015 г. Форма участия- выступление с заказными докладами: Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР. Соавторы: П.А. Козынко, Н.И. Рябов, И.А. Харитонов. Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов. Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С). Соавторы: С. В. Лебедев, Д. А. Попов, Л. М. Самбурский, В. Г. Стахин, И. А. Харитонов . Заказной доклад "Моделирование элементов БИС с учётом радиационных эффектов" (без соавторов)
Крупнейшая международная конференция по методам и применениям инфракрасной термографии (The 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications). Охватывает широкий круг вопросов, касающихся методов и областей применения термографии: аппаратура для термографии, методы термографии, обработка тепловизионных изображений, области примененния термографии от материалов до зданий, здоровья людей, астрономии. Пиза, Италия, 29.09.2015 - 2.10.2015. Форма участия- соавтор доклада на тему "Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography" (Анализ нагрева проводников современных печатных плат протекающим токов с помощью средств термографии). Соавторы: И.А. Харитонов, А.А. Попов
Крупнейшая международная Европейская конференция по радиационной стойкости «Radiation Effects on Components and Systems» (RADECS 2015), 14-18 сентября 2015 г. Москва. Посвящена представлению и обсуждению последних достижений в области радаиационных эффектов в электронных и фотоэлектронных материалах, приборах, схемах, сенсорах, системах. Форма участия - докладчик. Доклады: "Rad-hard versions of spice MOSFET models for effective simulation of SOI/SOS CMOS circuits taking into account radiation effects", "SiGe HBT TCAD simulation taking into account impact of proton radiation", "TCAD simulation of total ionization dose response of 45nm high-k mosfets on bulk silicon and SOI substrate". Соавторы I.A. Kharitonov, L.M. Sambursky, A.S. Mokeev, D.A. Popov, M.V. Kozhukhov
Ипортозамещение
Ежегодная 18-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2015» (г. Лыткарино), 2-3 июня 2015 г. Конференция прошла в соответствии с Планом проведения научно-технических мероприятий Госкорпорации «Росатом». Ее провjдил ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов». Форма участия: докладчик. Доклад: "Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик". Соавторы: И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский,
Joint IEEE International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon , EUROSOI-ULIS- 2015, 2015 Bologna, Italy, 26.01.2015 - 28.01.2015 Соавтор доклада, докладчик "SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects". K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, L.M. Sambursky
15-й научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 25.02.2015 - 26.02.2015 Российская Федерация, Нижний Новгород. Форма участия: соавтор доклада. Доклад: Универсальная SPICE модель КНИ/КНС МОП-транзисторов, построенная на базе платформ BSIM-SOI и EKV-SOI. К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский
2014 год
11-я Международная специализированная выставка «Силовая электроника».25-27 ноября 2014, Крокус Экспо, " Аппаратно- программный комплекс для определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники с учетом температуры и радиации", "Исследование тепловых полей в мощных полупроводниковых компонентах с помощью ИК тепловизионной установки". Экспонаты выполнены и представлены аспирантами и студентами МИЭМ НИУ ВШЭ под руководством профессоров каф. "Электроника и наноэлектроника" К.О. Петросянца и И.А. Харитонова.
XI Международная научно-практическая конференция «ИННОВАЦИИ НА ОСНОВЕ ИНФОРМАЦИОННЫХ И КОММУНИКАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ» (ИНФО-2014) 1.10.2014 - 10.10.2014 Российская Федерация, Сочи. Соавтор доклада, докладчик "Подсистема проектирования интегральных схем с учетом действия фактров температуры и радиации доклада на конференции". Петросянц К.О., Харитонов И.А., Кожухов М.В., Самбурский Л.М.
1-й Всероссийский форум технологического лидерства России "ТЕХНОДОКТРИНА-2014", 6.11.2014 - 7.11.2014 Российская Федерация, Москва. Соавтор доклада , докладчик "Система целевой подготовки специалистов в области электроники для аэрокосмической отрасли, построенная на базе научно-образовательных модулей «вуз-предприятие»". А.Н. Тихонов, Б.Г. Львов, К.О. Петросянц, С.У. Увайсов, И.А. Харитонов , С.В. Балакин, А.Н. Четыркин, В.Н. Крутиков
10th European Workshop on Microelectronics Education, 14.05.2014 - 16.05.2014 Эстония, Таллин, соавтор доклада "The System of Microelectronics Education for Aerospace Industry Based on “University-Enterprise” Link", A.N. Tikhonov, B.G. Lvov, K.O. Petrosyants, S.U. Uvaysov, I.A. Kharitonov, V. Balakin, A.N., Chetyrkin, V.N. Krutikov. Докладчик
III Международная научно-практическая конференция Innovative Information Technologies, 21.04.2014 - 25.04.2014, Чехия, Прага. Соавтор доклада, докладчик "EXPANDING COMMERCIAL SPICE POSSIBILITIES IN THE FIELD OF EXTREME ENVIRONMENT ELECTRONICS DESIGN BY USING NEW BJT AND MOSFET MODELS WITH ACCOUNT FOR RADIATION INFLUENCE". K.O. Petrosyants, I.A. Kharitonov, M.V. Kozhukhov, L.M. Sambursky
The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering, 8.03.2014 - 9.03.2014 Малайзия, Куалу-Лумпир. Соавтор доклада. Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components. K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, P.A. Kozynko, N.I. Ryabov,
14-й научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур».
27.02.2014 - 28.02.2014 Российская Федерация, Нижний Новгород
форма участия: Соавтор доклада. Доклад: Моделирование элементов БиКМОП БИС с учетом радиационных эффектов. К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский, М.В. Кожухов
2013 год
10-я Международная специализированная выставка «Силовая электроника», с 26 по 28 ноября 2013, Крокус Экспо, павильон 2, раздел "Молодая силовая электроника России". Форма участия - участие с 2-мя экспонатами:
1)База данных по характеристикам и параметрам моделей полупроводниковых элементов силовой электроники.
2)Исследование тепловых характеристик преобразователей напряжения с помощью ИК тепловизионной установки
Экспонаты выполнены и представлены аспирантами и студентами МИЭМ НИУ ВШЭ под руководством профессоров каф. "Электроника и Электротехника". К.О. Петросянц - один из руководителей экспонатов.
Международная научно-практическая конференция"Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий", (ИНФО-2013), Сочи, 1-10 октября 2013. Соавтор доклада, докладчик "Информационно-измерительный комплекс для определения параметров схемотехнических SPICE моделей электронных компонентов с учетом температуры", авторы: Харитонов И. А., Гоманилова Н. Б., Петросянц К. О., Самодуров Д. А., Александров А. В., Малышев А. А., Чемеза Д. М.
Европейская конференция 16th Digital Systems Design (DSD 2013) объединенная с 39th Software Engineering and Advanced Applications (SEAA 2013) конференцией, г. Santander, Испания, 4 - 6 сентября 2013 г. Форма участия- соавтор стендового доклад на тему: "Account for radiation effects in signal integrity analysis of PCB digital systems".
Техническое совещание «Проблемы математического моделирования РЭА на этапах её разработки», ФГУП «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова», 22.08.2013, организованное в соответствии с решением секции «Радиационно-стойкая ЭКБ» Межведомственного совета главных конструкторов по радиоэлектронной компонентной базе по проблеме моделирования радиоэлектронной аппаратуры в условиях воздействия ионизирующего излучения, прошедшем 13 июня 2013 г. в Госкорпорации «Росатом». Форма участия - соавтор доклада на тему «Моделирование электронных компонентов с учётом тепловых и радиационных эффектов». Соавторы: Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Кожухов М.В., А.В. Сидоров, В.В.Карушев, С.В. Смирнов.
II Международная научно-практическая конференция "Инновационные информационные технологии", Чехия, Прага, 22–26 апреля.
Форма участия - руководитель секции "Инновационные информационные технологии в науке", докладчик. Темы докладов: "SPICE-МОДЕЛИ КРЕМНИЕВЫХ БТ И КРЕМНИЙ‑ГЕРМАНИЕВЫХ ГБТ, УЧИТЫВАЮЩИЕ ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ФАКТОРОВ", соавтор - Кожухов М. В.; "ПРИМЕНЕНИЕ ПАКЕТОВ ПРОГРАММ TCAD И HSPICE ДЛЯ АНАЛИЗА ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В ЯЧЕЙКАХ КМОП ИС С УЧЕТОМ ВЛИЯНИЯ ЭФФЕКТА САМОРАЗГРЕВА", соавторы Харитонов И.А., Попов Д. А.
Международная конференция «3rd International Conference on Advanced Measurement and Test» (AMT 2013), г. Сямынь, КНР, март, 13-14, 2013 г.
Форма участия - докладчик. тема доклада «Hardware-software subsystem for MOSFETs characteristic measurement and parameter extraction with account for radiation effects».
13-ий научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур».
27.02.2013 - 28.02.2013 Российская Федерация, Нижний Новгород
форма участия: докладчик
Доклад Кремний-германиевая Би-КМОП технология для создания радиационно-стойких аналого-цифровых СБИС
2012 год
12-й научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур».
29.02.2012 - 1.03.2012 Российская Федерация, Нижний Новгород
форма участия: докладчик
Тема доклада "Моделирование характеристик элементной базы 0,35 мкм КМОП СБИС КНИ с учетом радиационных воздействий"
Межотраслевая школа-семинар "Радиационные испытания-2012"
18.06.2012 - 21.06.2012 Российская Федерация, Дубна Московской области
форма участия: докладчик
Тема доклада "Методы математического моделирования элементов ИС и ИС при радиационном воздействии
Научно-техническая конференция «ЭЛЕКТРОНИКА, МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА-2012»
26.06.2012 - 29.06.2012 Российская Федерация, Суздаль
формы участия: докладчик
Доклады:
МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАРАЗИТНОГО БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА НА МЕХАНИЗМ ОДИНОЧНЫХ СБОЕВ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ КНИ КМОП ОЗУ
Макромодель EKV RAD для КНИ/КНС МОП транзисторов, учитывающая радиационные эффекты
18th International Workshop on Thermal investigations of ICs and Systems "Therminic 2012"
24.09.2012 - 27.09.2012 Венгрия, Будапешт
форма участия: докладчик
Доклад : Quasi – 3D approach for BGA Package Thermal Modeling.
Конференция «Менеджмент качества и менеджмент информационных систем» (MQ&ISM-2012)
16.09.2012 - 23.09.2012 Австрия, Вена
форма участия: докладчик
Доклад: Программно-аппаратный комплекс для расчета и оценки радиационной и температурной стойкости электронной компонентной базы аэрокосмического назначения
Всероссийская научная школа по проектированию интегральных схем
11.09.2012 - 13.09.2012 Российская Федерация, Москва
форма участия: докладчик
Доклад: Схемотехнические SPICE-модели элементов аналого-цифровых ИС
Международная конференция IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12)
14.09.2012 - 12.09.2012 Украина, Харьков
форма участия: докладчик
Доклады:
New version of Automated Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System
Logi-Thermal Analysis of Digital Circuits Using Mixed-Signal Simulator Questa ADMS
Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel
Крупнейший международный научно-технический семинар-выставка по исследованию тепловых процессов в электронных компонентах
«IMAPS Advanced Technology Workshop and Tabletop Exhibition on Thermal Management», 12 - 14 ноября 2012 г.,Кремниевая долина,
г. Лос-Гатос (Калифорния, США),
форма участия: докладчик
Доклад «Experimental Investigation of Temperature-Current Rise in Embedded PCB Traces»
("Экспериментальное исследование температурно-токовых характеристик трасс печатных плат со встроенными активными
компонентами») был признан одним из лучших и отмечен Оргкомитетом IMAPS–2012 специальной грамотой.
9-я Международная выставка и конференция «Силовая Электроника»,27- 29 ноября, Москва, МВК «Крокус Экспо»
В рамках специального проекта "Молодая силовая электроника" аспирантами и студентами кафедры "Электроника и наноэлектроника" МИЭМ НИУ ВШЭ
были представлены два экспоната :
1) Аппаратно- программный комплекс для определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники.
2) Печатные платы со встроенными активными компонентами.
К.О. Петросянц - руководитель выставленных работ.
Научный руководитель диссертационных исследований
- 1Исмаил-Заде М. Р. Разработка и исследование схемотехнических SPICE-моделей MOSFET и JFET-транзисторов с учетом тепловых эффектов, 2022
- 2Попов Д. А. Приборно-технологическое моделирование субмикронных МОП-транзисторов со структурой кремний на изоляторе с учетом температурных и радиационных эффектов, 2020
- 3Кожухов М. В. Разработка и исследование моделей радиационных воздействий для расчета характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с помощью системы TCAD, 2016
- 4Самбурский Л. М. Разработка и исследование схемотехнических SPICE-моделей элементов радиационно-стойких и фоточувствительных КМОП БИС со структурой КНИ / КНС, 2013
- 5Стецкевич А. М. Разработка макромодели операционного усилителя с учетом теплового и радиационного воздействия (aспирантура: 1-й год обучения)
- 6Казачков А. О. Разработка и исследование SPICE-моделей гибридных СВЧ модулей на основе GaN транзисторов (aспирантура: 2-й год обучения)
Авторские права и патенты
| № п/п | Номер РИД | Вид РИД | Наименование РИД | Сведения о регистрации | Авторы |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 6.0011-2013 | База данных | PATRIA-SiGe | 2013620405 | Рябов Н.И., Торговников Р.А., Петросянц К.О. |
| 2 | 8.0141-2015 | Произведение | Методика экстракции параметров моделей электронной компонентной базы с учетом тепловых и радиационных эффектов из результатов измерений их характеристик | Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А. | |
| 3 | 1.0035-2015 | Изобретение | Устройство регистрации импульсного изображения | 2551895 | Петросянц К.О., Доморацкий Е.О. |
| 4 | 5.0004-2012 | Программа для ЭВМ | Эволюционное моделирование структуры интегральной схемы с учетом конкретной технологии (Tophist97) | 990053 | Кутненко В.В., Кудинов Г.А., Трубочкина Н.К., Петросянц К.О. |
Опыт работы
Опыт работы - более 45 лет.
Достижения: дважды лауреат Премии Правительства РФ в области науки и образования .
Ординарный профессор НИУ ВШЭ.
Занимаемые должности:
с 1993 по 2012 - зав. кафедрой "Электроники и электротехники", декан факультета АВТ МИЭМ,
с 2012 по настоящее время - профессор, профессор-исследователь НИУ ВШЭ
Информация*
- Общий стаж: 62 года
- Научно-педагогический стаж: 55 лет
- Преподавательский стаж: 51 год
Опубликованные тезисы докладов (кроме списка публикаций)
- Петросянц К. О., Торговников Р. А. Элементная база SiGe БиКМОП СБИС ведущих зарубежных компаний для создания высокоскоростных систем передачи информации // Материалы VI семинара «Перспективы создания отечественной СВЧ электронной компонентной базы для высокоскоростных систем передачи информации 4‑го поколения», М., ФГУП «НПП „Пульсар“», апр. 2011
- Петросянц К. О. Электро-тепловое моделирование полупроводниковых приборов, микросхем и электронных модулей // Материалы совещания по САПР РЭА КМЭ при секции № 1 НТС Ядерного Оружейного Комплекса Госкорпорации «РОСАТОМ», М., ВНИИА, окт. 2011
- K. O. Petrosyants. Models and Software Tools for Electro-Thermal Design of Semiconductor Devices and ICs // Proc. of Workshop «Design of semiconductor components and electronic based miniaturized systems: European and Russian R/D cooperation», Ulyanovsk, Russia, May 2011
Участие в грантах, НИР, ОКР
2015
- Разработка методик экстракции параметров моделей электронной компонентной базы с учетом тепловых и радиационных эффектов из результатов измерений их характеристик . Заказчик- ФГУП «ВНИИА». Руководитель работы.
- НИР «Разработка и исследование моделей МОП-КНИ транзисторов с учетом воздействия нейтронов». Заказчик - ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова». Руководитель работы.
2014
- Разработка методов, моделей и баз данных для проектирования электронных компонентов ЭВМ и РЭА космического назначения (полупроводниковых приборов, микросхем, СБИС, печатных плат) с учетом радиации и температуры. Грант РФФИ. 14-29-09145. Форма участия - участник гранта.
- Разработка методик экстракции параметров моделей электронной компонентной базы с учетом тепловых и радиационных эффектов из результатов измерений их характеристик. Работа по заказу ФГУП ВНИИА. Форма участия - Руководитель работы.
2013
- ОКР «Разработка параметров модели для проектирования аналоговых и цифро-аналоговых специализированных интегральных схем для радиационно-стойкой аппаратуры», Шифр: ОКР «Угра-МИЭМ» Этап 2. (заказчик ОАО «НПО ИТ»). Форма участи - отвественный исполнитель.
- НИР «Проведение исследований по созданию SPICE моделей электронных компонентов с учетом температурного воздействия», шифр «МОДЕЛЬ» (заказчик - ФГУП «ВНИИА» им. Н.Л. Духова». Форма участи - Руководитель работы
.
- Фундаментальная НИР "Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям", в рамках плана Фундаментальных исследований НИУ ВШЭ, ТЗ 108. Форма участи - руководитель работы.
- Грант РФФИ "Исследование и разаработка методов и средств электро-теплового проектирования микроэлектронных систем: полупроводниковых чипов, печатных плат и блоков " . ИППМ РАН, № проекта 12-07-00506 (2-ой этап) - Руководитель
- НИР «Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям» в рамках программы фундаментальных исследований НИУ ВШЭ- Руководитель.
2012
- Грант РФФИ "Исследование и разаработка методов и средств электро-теплового проектирования микроэлектронных систем: полупроводниковых чипов, печатных плат и блоков " . ИППМ РАН, № проекта 12-07-00506 (1-ый этап) - Руководитель
- НИР «Поисковые исследования в области СВЧ БИС на основе кремний-германиевых гетероструктур для систем беспроводной связи и радарной техники», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (3-ий этап) - Руководитель
- НИР «Исследование характеристик субмикронных и глубоко субмикронных кремний-германиевых биполярных и МОП гетероструктурных транзисторов аналого-цифровых Би-КМОП СБИС для радио- и теле-коммуникационных систем», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (3-ий этап). – Исполнитель
- НИР «Разработка моделей, методов, алгоритмов проектирования интеллектуальных силовых модулей», грант РФФИ РАН, гос. бюджет (3-ой этап). - Исполнитель
- НИР «Исследование конструктивно-технологических решений по созданию базовых элементов радиационно-стойких КМОП СБИС со структурой «кремний на изоляторе», гос. бюдж. - Руководитель
- НИР «Разработка физических моделей приборного моделирования характеристик субмикронных транзисторов КМОП КНИ с учетом воздействия спецфакторов», «Модель-С-МИЭМ-2012», (заказчик ФГУП «ФНПЦ НИИИС», г. Нижний Новгород). - Руководитель
- НИР «Разработка математических моделей электронных компонентов с учетом воздействия спецфакторов», (заказчик - ФГУП «РФЯЦ-ВНИИТФ», г. Снежинск). - Руководитель
- ОКР «Разработка параметров моделей для проектирования аналоговых и цифро-аналоговых специализированных интегральных схем для радиационно-стойкой аппаратуры», «Угра-МИЭМ», 1-ый этап, (заказчик- ОАО «НПО ИТ», г. Королев). - Руководитель
2011
- НИР «Разработка перспективных конструктивно-технологических решений твердотельных интеллектуальных силовых микросхем на основе комбинированной Би-КМОП-ДМОП технологии», гос. бюдж. - Руководитель
- НИР «Поисковые исследования в области СВЧ БИС на основе кремний-германиевых гетероструктур для систем беспроводной связи и радарной техники», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (2-ой этап). - Руководитель
- НИР «Исследование характеристик субмикронных и глубоко субмикронных кремний-германиевых биполярных и МОП гетероструктурных транзисторов аналого-цифровых Би-КМОП СБИС для радио- и теле-коммуникационных систем», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (2-ой этап). - Исполнитель
- НИР «Разработка моделей, методов, алгоритмов проектирования интеллектуальных силовых модулей», грант РФФИ РАН, гос. бюджет (2-ой этап) - Исполнитель
- НИР «Разработка методик модификации SPICE-моделей МОП КНИ транзисторов и экстракции их SPICE-параметров», (заказчик ФГУП «ФНПЦ НИИИС»). - Руководитель
- ОКР «Моделирование и испытания радиационностойких интегральных преобразователей»прикладная, Этап 3, (заказчик ФГУП «НПО ИТ» г. Королев). - Руководитель
- ОКР«Испытание на радиационную стойкость ИС опытного образца ИПТ», шифр «Таймыр-МИЭМ-2»,(заказчик ФГУП «НПО ИТ» г. Королев). - Руководитель
- НИР «Экспериментальные и теоретические исследования характеристик полупроводниковых приборов, элементов интегральных схем и РЭА с учетом влияния температуры и радиации, гос.бюджет. - Руководитель
Профессор МИЭМ Константин Петросянц награжден званием «Почетный работник электронной промышленности» на форуме «Микроэлектроника-2024»
В рамках форума «Микроэлектроника-2024»*, который прошел после завершения Школы молодых ученых (ШМУ) на базе Федеральной территории «Сириус», профессор Московского института электроники и математики (МИЭМ) Константин Петросянц был удостоен высокого звания «Почетный работник электронной промышленности».
Школа молодых ученых в “Сириусе”: успехи и перспективы российской электроники
Недавно прошла Школа молодых ученых (ШМУ) на базе Федеральной территории “Сириус”, организованная ОНИТ РАН, АО “НИИМЭ” и МФТИ. Мероприятие собрало студентов, аспирантов и преподавателей из разных университетов России, включая представителей МИЭМ НИУ ВШЭ, а также сотрудников таких организаций, как АО “НИИМЭ”, СБЕР, “НМ-ТЕХ”, YADRO. Отдельно стоит отметить, что профессор МИЭМ Константин Петросянц получил награду за значительный вклад в развитие отрасли и подготовку специалистов.
Человек своего времени
Поздравляем с юбилеем Константина Петросянца
Проекты ученых МИЭМ НИУ ВШЭ завоевали две медали на Международном Салоне изобретений и инновационных технологий «Архимед»
С 19 по 21 марта 2024 г. в выставочном зале бизнес-центра «Амбер-Плаза» проходил XXVII Московский Международный Салон изобретений и инновационных технологий «Архимед». Участниками Салона стали представители 272 организаций из 28 государств и 30 регионов Российской Федерации, которые продемонстрировали широкой научно-технической общественности 570 российских и 198 зарубежных инновационных проектов и изобретений, в том числе два проекта МИЭМ НИУ ВШЭ.
«Все направления связаны с решением государственных задач по достижению научно-технологического суверенитета»
Научный руководитель и директор МИЭМ НИУ ВШЭ Евгений Крук рассказал об основных направлениях научно-исследовательской деятельности МИЭМ в ближайшие несколько лет.
«Я счастливый человек, потому что участвовал в создании такого вуза»
МИЭМ ВШЭ отметил 100-летний юбилей основателя и первого ректора Евгения Арменского
МИЭМ НИУ ВШЭ примет активное участие в возрождении микроэлектроники в России
В ближайшие 2,5 года в Московском институте электроники и математики им. А.Н. Тихонова НИУ ВШЭ будет реализован масштабный проект в области микроэлектроники. На него по итогам конкурса, проведенного Российским научным фондом (РНФ), выделено 90 млн рублей, которые пойдут в том числе на приобретение оборудования. Таким образом, подтвердив свою репутацию крупного игрока на рынке микроэлектроники, МИЭМ будет способствовать ее ускоренному развитию в нашей стране.
В МИЭМ НИУ ВШЭ появилась аудитория имени Дмитрия Быкова
Церемония открытия аудитории, посвященной ректору МИЭМ (1990–2010 гг.), собрала друзей, коллег, членов семьи ученого
Награждение учёных МИЭМ
14 декабря прошло торжественное награждение МИЭМовцев медалями за успешную работу.
14 декабря состоялась церемония награждения сотрудников Вышки. Два ординарных профессора ДЭИ: К. О. Петросянц и Г. Г. Бондаренко -- были награждены университетскими медалями «Признание — 25 лет успешной работы»
В среду 14 декабря в Белом зале Дома Дурасова состоялось награждение сотрудников Вышки за выдающиеся результаты в профессиональной деятельности и в связи с 30-летием университета. Ведомственные и университетские медали, почетные звания и грамоты получили 69 человек.
Состоялась церемония награждения сотрудников Вышки
Награды получили 69 сотрудников
Ученые МИЭМ приняли участие в Российском Форуме «Микроэлектроника 2022»
От нашего института были представлены четыре доклада
Учителя и ученики растут вместе!
От МИЭМ НИУ ВШЭ на Школу молодых ученых «Микроэлектроника-2021» прибыла делегация «учителей» и «учеников».
Результаты конкурса на формирование проектных групп
В МИЭМ НИУ ВШЭ ежегодно проводится конкурс факультетов на формирование проектных групп для всех работников и обучающихся НИУ ВШЭ (Москва).
Защита диссертации Д.А. Попова
17 декабря прошла успешная защита диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.13.12 «Системы автоматизации проектирования» старшим преподавателем Департамента компьютерной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ Поповым Дмитрием Александровичем.
Ученые и студенты МИЭМ приняли участие в VI Международном Форуме «Микроэлектроника 2020»
В рамках Форума, который прошел 22-24 сентября в Гурзуфе, состоялись XIII Международная Конференция «Кремний-2020» и XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, где миэмовцы представили свои доклады. Студенческий доклад Дмитрия Звягинцева был признан лучшим в своей секции.
“Не бойтесь слова “аспирантура”!”
Продолжаем серию статей об аспирантской школе по техническим наукам. Сегодня наш герой — Мамед Исмаил-Заде, ещё один выпускник 2019-го года
25-й Международный симпозиум по тепловым исследованиям ИС и систем ‑ THERMINIC 2019
В трехдневном мероприятии, состоявшемся в Лекко, Италия, приняли участие более 120 делегатов конференции из 23 стран с широким кругом специалистов в области развития технологий и управления промышленностью, в том числе из МИЭМ НИУ ВШЭ.
Контроль электронных компонентов и другие важные исследования – в основе взаимоотношений с компанией «ФОРМ»
29 мая в МИЭМ НИУ ВШЭ прошел семинар «Современные инструменты контроля и исследований электронной компонентой базы», организованный совместно департаментом электронной инженерии МИЭМ и предприятием ООО «ФОРМ», разработчиком и производителем автоматизированных средств измерений электронных компонентов - Тестеров FORMULA.
Актуальные проблемы спецстойкой электроники
С 10 по 11 апреля 2019 в г. в загородном отеле «Чайка» (Нижегородская область, поселок Жёлнино), прошла конференция «Спецстойкая микроэлектроника 2019». Конференция организована Госкорпорацией «Росатом» в Нижнем Новгороде. Цель мероприятия – комплексно рассмотреть актуальные вопросы разработки, проектирования, производства и применения отечественной стойкой электронной компонентной базы; содействовать развитию отечественной стойкой микроэлектроники.
Юбилей Константина Орестовича Петросянца
9 апреля юбилей Константина Орестовича Петросянца, профессора департамента электронной инженерии.
Событие года в мире микроэлектронных технологий
С 1 по 7 октября 2018 в г. Алушта, Республика Крым, прошел IV Международный форум «Микроэлектроника 2018». МИЭМ НИУ ВШЭ на форуме представляли ученые департамента электронной инженерии.
В МИЭМ НИУ ВШЭ состоялось открытие памятной доски и аудитории-музея имени Е.В. Арменского
2 октября исполнилось 95 лет со дня рождения Евгения Викториновича Арменского, доктора технических наук, ординарного профессора НИУ ВШЭ, основателя и первого ректора МИЭМ. В минувшую субботу МИЭМ принимал добрых гостей – в институте состоялось торжественное открытие памятной доски и первой очереди аудитории-музея имени Арменского.
Ура! Я - студент!
Сентябрь пришел, учебный процесс стартовал! По традиции в МИЭМ НИУ ВШЭ по этому случаю состоялся праздник, где главными героями были первокурсники.
Точные измерения – основа качества и безопасности
С 15 по 17 мая 2018 года в Москве на ВДНХ в павильоне №75 прошли 14-ый Московский международный инновационный форум и выставка «Точные измерения – основа качества и безопасности», на которой МИЭМ НИУ ВШЭ представлял свои разработки.
Студенты МИЭМ НИУ ВШЭ - лауреаты всероссийской олимпиады по электронике.
Продолжаем поздравлять наших студентов с достижениями во Всероссийской студенческой олимпиаде. Команда из четырёх студентов МИЭМ НИУ ВШЭ, подготовленная преподавателями департамента электронной инженерии ординарным профессором К.О. Петросянцем и доцентом Л.М. Самбурским, участвовала в олимпиаде по разделу «Электроника».
Научно-техническая секция РКК «Энергия» одобрила доклады профессоров МИЭМ НИУ ВШЭ
На заседании Научно-технической секции Ракетно-космической корпорации «Энергия» им. П.А. Королёва были заслушаны доклады профессоров департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ Петросянца К.О., Харитонова И.А. и Жаднова В.В.
Международное взаимодействие в электронной отрасли
16 марта в МИЭМ НИУ ВШЭ завершился Международный московский IEEE-семинар «Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies» (MWENT-2018)
Зимняя инженерно-техническая школа – от учебы к профессии
В феврале в Учебном Центре НИУ ВШЭ «Вороново» прошла очередная Зимняя инженерно-техническая школа для абитуриентов магистратуры. Студенты 19-ти вузов из 17-ти городов России, Казахстана, Киргизии, Нигерии, Узбекистана и Украины слушали доклады представителей ведущих компаний и научных центров России, академических руководителей магистерских программ и ученых МИЭМ НИУ ВШЭ. О том, какие впечатления остались у ребят после школы, в материале ниже.
Международный форум «Микроэлектроника 2017»
Со 2 по 7 октября 2017 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2017». «Микроэлектроника 2017» - независимая высокоинтеллектуальная площадка для ведения конструктивного диалога между научным сообществом, производственными объединениями и представителями бизнес-структур микроэлектронного кластера и смежных высокотехнологичных отраслей.
XV Международная конференция в области проектирования и тестирования электронных схем
В сербском городе Нови Сад при поддержке Международного института инженеров электротехники и электроники (IEEE) проходила XV Международная конференция в области проектирования и тестирования электронных схем (15-th IEEE EAST-WEST DESIGN & TEST SYMPOSIUM, EWDTS 2017). На конференции среди прочих сообщений были представлены два доклада сотрудников департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ
Добро пожаловать в студенческую семью
Вновь МИЭМ НИУ ВШЭ приветствовал своих первокурсников, которые стали полноправными членами нашей большой студенческой семьи. По этому поводу 1 сентября 2017 года было организовано торжественное праздничное мероприятие под открытым небом перед зданием института.
Международный авиационно-космический салон МАКС-2017
С 18 по 23 июля 2017 года в городе Жуковский Московской области прошел Международный авиационно- космический салон МАКС-2017, который является одним из крупнейших и престижнейших мировых авиа-форумов.
«Делай в России!»
В г. Новосибирске в МВК «Новосибирск Экспоцентр» прошел Пятый юбилейный Международный форум технологического развития «Технопром» и выставка «НТИ ЭКСПО», которая традиционно проходит в рамках Форума.
Международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017
С 22 по 25 мая 2017 года в китайской «Кремниевой долине», в городе Чэнду – столице провинции Сычуань состоялась крупная международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017 International Workshop on Reliability of Micro-and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment (May 22-24, 2017, Chengdu, China). Конференция собрала свыше 200 участников из США, России, Китая, Германии, Франции, Великобритании, Канады, Бельгии, Австрии.
Проблемы учета тепловых процессов в электронной аппаратуре
С 13 по 17 марта 2017 в США, штат Калифорния, в самом сердце «Кремниевой долины» проходил крупнейший мировой симпозиум по проблеме учета тепловых процессов в электронной аппаратуре The 33-th SEMI-THERM Symposium «Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management». В симпозиуме участвовали специалисты мировых фирм, научных лабораторий и университетских коллективов.
Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур
С 1 по 2 марта 2017 г. Федеральное государственное унитарное предприятие «Федеральный научно-производственный центр «Научно-исследовательский институт им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) проводил семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких сверхбольших интегральных систем (СБИС) на основе гетероструктур»
Поздравляем Константина Орестовича Петросянца с награждением Премией Правительства РФ
Константин Орестович Петросянц, ординарный профессор НИУ ВШЭ, профессор департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ награжден Премией Правительства РФ в области образования за создание высококачественных учебных изданий для системы образования Российской Федерации по направлению «Физика, технология, приборы и схемы современной микро- и наноэлектроники».
MIEM School of Electronic Engineering Attends TELFOR 2016
On November 22-23, 2016, the 24th Telecommunications Forum (TELFOR 2016) was held in Belgrade, Serbia. The event was organized by the Ministry of Education, Science and Technological Development of Serbia, the Ministry of Trade, Tourism and Telecommunications of Serbia, and IEEE Serbia and Montenegro Section.
Международный форум по телекоммуникациям и информационным технологиям
С 22 по 23 ноября 2016 в г. Белград, Сербия, прошел 24-ый Международный Форум по телекоммуникациям (24th Telecommunications Forum (TELFOR 2016). Форум был организован Министерством образования, науки и технологического развития Сербии, Министерством торговли, туризма и телекоммуникаций Сербии, Отделением Общества IEEE по Сербии и Черногории.
«Наша программа близка к аналогичным программам ведущих американских университетов, в первую очередь, MIT»
В 2017 году в Вышке открывается магистерская программа «Материалы. Приборы. Нанотехнологии». Ее студенты будут не просто изучать новейшие материалы и технологии, но и самостоятельно конструировать высокотехнологичные приборы. Подробнее о программе рассказывает ее научный руководитель, профессор НИУ ВШЭ, член-корреспондент РАН Максим Каган.
Знаковые события в области автоматизированного проектирования электронных устройств
В октябре 2016 года в г. Зеленограде прошла VII Всероссийская научно-техническая конференция "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2016" (МЭС-2016)
Международный форум «Микроэлектроника 2016»
С 26 по 30 сентября 2016 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2016», где с докладами выступили сотрудники Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ
Высокотемпературная электроника: новые технологии в МИЭМ НИУ ВШЭ
С 21 по 23 сентября 2016 г. в городе Будапешт (Венгрия) проходило заседание 22-го Международного совещания по исследованию тепловых режимов интегральных схем и систем (22nd International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems, Therminic 2016).
Добро пожаловать, первокурсник
1 сентября 2016 года, МИЭМ НИУ ВШЭ приветствовал своих первокурсников, которые стали полноправными членами нашей большой студенческой семьи. По этому поводу было организовано торжественное праздничное мероприятие под открытым небом перед зданием института.
ФГУПП «НИИП» - 60
Сотрудники департамента Электронной инженерии приняли участие в ежегодной Всероссийской научно-технической конференции «Радиационная стойкость электронных систем», проводимой ФГУПП «НИИП», г. Лыткарино.
В этом году ФГУПП «НИИП» отмечает свое 60-ти летие.
Konstantin Petrosyants Spoke at IEEE Latin American Test Symposium
On April 6th-9 th , the IEEE Latin American Test Symposium was held under the auspices of the Institute of Electrical and Electronics Engineers in the city of Foz do Iguaçu, Brazil.
19-я Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих "ЭкспоЭлектроника"
15-17 марта 2016 года в Москве, в МВЦ "Крокус Экспо" прошла 19-я Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих "ЭкспоЭлектроника". Выставка является крупнейшей по количеству и самой представительной по составу участников радиоэлектронной промышленности в России и Восточной Европе.
XVI ежегодный научно-практический семинар с международным участием «Проблемы создания специализированных СБИС на основе гетероструктур»
Мероприятие, в котором 2-3 марта 2016 г. приняли участие преподаватели департамента, было организовано ФГУП «Федеральный научно-производственный центр НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) в лице Межведомственного центра по разработке и производству электронной компонентной базы.
Итоги совещания в НПО Измерительной техники по вопросам сотрудничества
30 октября 2015 года в НПО Измерительной техники (г. Королев, Московская область) состоялось совещание по широкому кругу вопросов взаимодействия предприятия с МИЭМ НИУ ВШЭ.
Международное совещание VIIIth International Workshop NDT in Progress
С 12 по 14 октября 2015 г. в столице Чехии г. Прага состоялось Международное совещание экспертов по проблеме «Влияние неразрушающих методов тестирования и контроля на технический прогресс» (VIIIth International Workshop on NonDestructive Test (NDT) in Progress).
Выставка «Импортозамещение - 2015»
С 14 по 17 сентября 2015 г. в МВЦ «Крокус-ЭКСПО» проходила крупная международная специализированная выставка «Импортозамещение - 2015». Высокий статус выставки подтвердил визит на выставку представительной делегации во главе с Председателем Правительства РФ Д.А. Медведевым.
18-я Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» (СТОЙКОСТЬ-2015)
Сотрудники департамента приняли участие в ежегодной 18-ой Всероссийской научно-технической конференции «Радиационная стойкость электронных систем» (СТОЙКОСТЬ-2015), которая проходила 2-3 июня 2015 г. в г. Лыткарино.
Семинар "Решения компании Mentor Graphics в области средств проектирования электронных систем. Текущее состояние и перспективы развития"
15 апреля 2015 г. в новом учебном корпусе МИЭМ НИУ ВШЭ пошел обзорный семинар по средствам проектирования компании Mentor Graphics "Решения компании Mentor Graphics в области средств проектирования электронных систем. Текущее состояние и перспективы развития". Семинар проводился совместно дистрибьютором Mentor Graphics, компанией ЗАО «МЕГРАТЕК» и МИЭМ НИУ ВШЭ.
Ученый совет: последнее заседание учебного года
28 июня на заседании Ученого совета ВШЭ утверждены контрольные цифры и правила приема в аспирантуру, приняты решения о создании факультета дизайна и ряда кафедр, одобрены несколько положений и регламентов, а также проведен конкурс профессорско-преподавательского состава.
Конференция AMT 2013
13 и 14 марта 2013 г. в городе Сямынь (Xiamen), КНР, проходила международная конференция по современным методам измерения и тестирования в электронике «3rd International Conference on Advanced Measurement and Test» (AMT 2013), организованная InformationEngineeringResearchInstitute (IERI, США/Сингапур).
Выставка «Силовая Электроника» в Москве
С 27 по 29 ноября в Москве в МВК «Крокус Экспо» прошла 9-я Международная выставка и конференция «Силовая Электроника». Участниками этого проекта выступили молодые научные сотрудники и аспиранты кафедры «Электроника и наноэлектроника» Московского института электроники и математики НИУ ВШЭ.
«Мы являемся пионерами в этой сфере»
Директор МИЭМ ВШЭ Александр Тихонов рассказывает о прошедшей в Австрии международной конференции «Менеджмент качества и менеджмент информационных систем».
Ученый совет МИЭМ
16 октября состоялось первое после объединения с Высшей школой экономики заседание Ученого совета Московского института электроники и математики.